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Resistencias de baja TCR de alta potencia Resistencia de ultra bajo ohmio 8m Ohm
Resistencias de baja TCR de alta potencia Resistencia de ultra bajo ohmio 8m Ohm
Resistencias de baja TCR de alta potencia Resistencia de ultra bajo ohmio 8m Ohm
Resistencias de baja TCR de alta potencia Resistencia de ultra bajo ohmio 8m Ohm
Especificaciones
Número de modelo :
HTE2512M3W0R008F
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
4000
Condiciones de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-5 días laborables
fabricante :
Walter
Serie :
HTE
Tamaño :
1225 (6,4 mm x 3,2 mm)
Rango de resistencia :
8m ohmios (0,008 ohmios)
Tolerancia :
±1%
Clasificación de potencia :
3W
rango de temperatura de funcionamiento :
-55 °C a +155 °C
Coeficiente de temperatura :
±100 ppm/°C
Material :
aleación de MnCu
Por carrete :
4000
Características :
Alta precisión, alta potencia, billete de baja temperatura, baja inductancia
Aplicaciones :
Detección de corriente, fuente de alimentación, control de motores, gestión de baterías, convertidor
Descripción
Resistencia de terminal ancha HTE2512M3W0R008F con resistencia de 0.008Ω (8mΩ) Tamaño 1225 para aplicaciones de estaciones base 5G
El HTE2512M3W0R008F es un componente especializado diseñado para aplicaciones críticas de detección de corriente y gestión de energía. Esta resistencia de terminal de alto rendimiento 1225 0.008Ω (8m Ohm) 3W 1% ofrece una eficiencia, precisión y fiabilidad excepcionales para diseños electrónicos sofisticados.
Especificaciones clave
Parámetro Especificación
Número de pieza HTE2512M3W0R008F
Valor de resistencia 0.008Ω (8mΩ)
Tolerancia ±1%
Potencia nominal 3W
Tamaño del paquete 1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Coeficiente de temperatura (TCR) ±100 ppm/°C
Material de resistencia Aleación de manganeso cobre (MnCu)
Temperatura de funcionamiento -55°C a +125°C
Descripción general del producto y aplicaciones clave
Esta resistencia de montaje en superficie (SMD) presenta una resistencia extremadamente baja de 0,008Ω (8 miliohmios) y una alta potencia nominal de 3W con una tolerancia ajustada del 1%, lo que la hace ideal para aplicaciones que requieren una medición precisa de la corriente.
Aplicaciones principales:
  • Detección de corriente en fuentes de alimentación y convertidores: Utilizado en convertidores CC-CC, módulos reguladores de voltaje (VRM) y fuentes de alimentación conmutadas
  • Sistemas de gestión de baterías (BMS): Mide con precisión las corrientes de carga/descarga en vehículos eléctricos y almacenamiento de energía renovable
  • Control y accionamientos de motores: Sirve como resistencia de derivación en circuitos inversores para automatización industrial y robótica
  • Circuitos de protección contra sobrecorriente: Permite la monitorización de corriente con una caída de tensión mínima
Características principales de rendimiento
Resistencia ultrabaja de 0,008Ω (8mΩ)
Logra una caída de tensión insignificante (solo 80 mV a una corriente de 10 A), minimizando la pérdida de energía y la generación de calor para una máxima eficiencia del sistema.
Alta potencia nominal de 3W
La construcción robusta maneja corrientes de sobretensión sustanciales y funciona de manera confiable en entornos de alta potencia, evitando la fuga térmica.
Tolerancia ajustada del 1%
Garantiza una resistencia real dentro de ±0,00008Ω del valor nominal, fundamental para la detección precisa de corriente en los sistemas de control.
Materiales y construcción avanzados
  • Aleación MnCu: Proporciona una excelente estabilidad de temperatura con un coeficiente de temperatura de resistencia (TCR) muy bajo
  • Diseño de baja inductancia: Minimiza la reactancia inductiva para una medición precisa de la forma de onda de corriente
  • Terminal y sustrato robustos: El sustrato cerámico ofrece un excelente aislamiento eléctrico y conductividad térmica
Cumplimiento y normas ambientales
Fabricado en total cumplimiento con las regulaciones RoHS y REACH. Componente sin plomo (Pb-free) adecuado para aplicaciones globales bajo estrictas normas ambientales.
Conclusión
El HTE2512M3W0R008F es una solución altamente diseñada que equilibra una resistencia ultrabaja de 0,008Ω, una potencia nominal robusta de 3W y una tolerancia precisa del 1%. Su construcción superior de aleación MnCu y su diseño de baja inductancia lo hacen ideal para la detección de corriente de alta precisión en electrónica de potencia, sistemas automotrices y tecnologías de energía renovable.
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Detalle del producto
Número de modelo :
HTE2512M3W0R008F
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
4000
Condiciones de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-5 días laborables
fabricante :
Walter
Proveedor de contacto
Resistencias de baja TCR de alta potencia Resistencia de ultra bajo ohmio 8m Ohm
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Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2012
Productos principales :
Resistencia de derivación de corriente, Resistencia de chip de detección de corriente, Resistencia de terminal ancha
Número de empleados :
100~120
Nivel de certificación :
Active Member
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