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FD200R12KE3HOSA1
FD200R12KE3HOSA1
Especificaciones
Categoría :
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Corriente - límite del colector (máximo) :
5 mA
Estado del producto :
Actividad
Tipo de montaje :
Montura del chasis
Paquete :
la bandeja
Serie :
C. Las
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 200A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor :
Módulo
El Sr. :
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento :
-40 °C ~ 125 °C
Potencia - máximo :
1050 W
Tipo de IGBT :
Parada en el campo de trincheras
Envase / estuche :
Módulo
Ingreso :
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :
14 nF @ 25 V
Configuración :
Helicóptero único
El termistor NTC :
No
Número del producto de base :
FD200R12
Descripción :
Modulo IGBT 1200V 1050W
Descripción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Chopper único 1200 V 1050 W Módulo de montaje del chasis
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FD200R12KE3HOSA1

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Detalle del producto
Categoría :
Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT
Corriente - límite del colector (máximo) :
5 mA
Estado del producto :
Actividad
Tipo de montaje :
Montura del chasis
Paquete :
la bandeja
Serie :
C. Las
Proveedor de contacto
FD200R12KE3HOSA1

Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

Active Member
2 Años
hongkong
Desde 2016
Productos principales :
ICs especializados, Módulos de IGBT, Baterías
Total anual :
1 Million-2.5 Million
Número de empleados :
20~50
Nivel de certificación :
Active Member
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