Especificaciones
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Silicon Wafer
Certification :
ISO:9001, ISO:14001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
25 Pieces
Price :
Negotiable
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
100000 Pieces/Month
Delivery Time :
1 - 4 weeks
Packaging Details :
Cassette / Jar, put in a carton with PE foam.
Material :
Silicon Wafer
Surface :
Double Side Polish, Single Side Polish, Lap
Diameter :
2'' - 12'' or as required
Thickness :
0.05mm - 10mm
Orientation :
<100>, <111>, <110>
Resistivity :
0.001 – 300 ohm/cm
Type :
P type, N type, Intrinsic
Dopant :
B, Ph, As or Undoped
Descripción

El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor

 

Las obleas de silicio son rebanadas finas de silicio crystalized puro. Estas formas puras de obleas normalmente se llaman oblea de silicio sin impurificar o intrínseca. Una de las razones de usar la oblea de silicio en industria del semiconductor es la abundancia natural de silicio. Es una del material más abundante encontrado en la tierra encontrada generalmente bajo la forma de SiO2. Otra razón de usar el silicio es que las características eléctricas del silicio se pueden controlar exacto por la adición de dopantes. Las obleas de silicio que se dopan con las impurezas tales como boro para crear el tipo las obleas y las obleas del p que se dopan con arsénico o fosforado crean el N-tipo obleas. El tipo obleas de P tiene varios agujeros cargados positivos mientras que el tipo obleas de N tiene varios electrones cargados negativos en él.

 

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SEMI estándar

2" (50.8m m)

3" (76.2m m)

4" (100m m)

5" (125m m)

6" (150m m)

8" (200m m)

12" (300m m)

Diámetro

50,8 ± 0.38m m 76,2 ± 0.63m m 100 ± 0.5m m 125 ± 0.5m m 150 ± 0.2m m 200 ± 0.2m m 300 ± 0.2m m

Grueso

279 ± los 25µm 381 ± los 25µm 525 µm del ± 20 o
625 ± los 20µm
625 ± los 20µm 675 ± los 20µm o
625 ± el 15µm
725 ± los 20µm 775 ± los 20µm

Tipo

P, N o lo intrínseco

Dopante

B, pH, como o sin impurificar

Orientación

<100>, <111>, <110>

Rsistivity

0,001 – 300 ohm/cm

Longitud plana primaria

15,88 ± 1.65m m 22,22 ± 3.17m m 32,5 ± 2.5m m 42,5 ± 2.5m m 57,5 ± 2.5m m Muesca Muesca

Longitud plana secundaria

8 ± 1.65m m 11,18 ± 1.52m m 18 ± 2.0m m 27,5 ± 2.5m m 37,5 ± 2.5m m NA NA

Final superficial

SSP, DSP, grabados al agua fuerte, o traslapados
 

El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor

 

Control de aceptación

El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor

 

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3. Abra por favor el envasado al vacío en un cuarto limpio cuando los productos deben ser aplicados.

 

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Proveedor de contacto
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Company
Productos principales :
Total anual :
800M-1500M
Número de empleados :
10~99
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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