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Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
Especificaciones
Number modelo :
Zafiro (Al2O3)
Lugar del origen :
China
MOQ :
5 piezas
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos/mes
Plazo de expedición :
1-4 semanas
Detalles de empaquetado :
Casete, tarro, paquete de la película
Material :
Sapphire Windows
Crecimiento :
Método de Kyropoulos
Punto de fusión :
°C 2040
Conductividad termal :
27,21 con (m x K) en 300 K
Extensión termal :
5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza :
Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g
Capacidad de calor específico :
419 j (kilogramo x K)
Constante dieléctrica :
11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz
Descripción

Oblea de Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric del semiconductor

 

El zafiro es un material de una combinación única de propiedades físicas, químicas y ópticas, que hacen resistente a la erosión del choque de alta temperatura, termal, del agua y de la arena, y de rasguño. Es un material superior de la ventana para muchos usos del IR a partir del 3µm hasta los 5µm. los substratos del zafiro del C-avión son ampliamente utilizados crecer compuestos de III-V y de II-VI tales como GaN para el LED y los diodos láser azules, mientras que los substratos del zafiro del R-avión se utilizan para la deposición hetero-epitaxial del silicio para los usos microelectrónicos de IC.

 

Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistenteRasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistenteRasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

 

Artículo

C-avión 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino

Grado

Primero, Epi-listo

Orientación superficial

C-avión (0001)

apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°

Diámetro

76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros

Grueso

μm 500 +/- μm 25

Orientación plana primaria

Uno-avión (11-20) +/- 0.2°

Longitud plana primaria

22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Solo lateral pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie trasera

Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2

Lateral doble pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie trasera

Epi-pulido, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

ARCO

< 15="">

DEFORMACIÓN

< 15="">

Limpieza/que empaqueta

Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,

25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

Artículo

C-avión 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino

Grado

Primero, Epi-listo

Orientación superficial

C-avión (0001)

apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°

Diámetro

100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros

Grueso

μm 650 +/- μm 25

Orientación plana primaria

Uno-avión (11-20) +/- 0.2°

Longitud plana primaria

30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Solo lateral pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie trasera

Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2

Lateral doble pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie trasera

Epi-pulido, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

ARCO

< 20="">

DEFORMACIÓN

< 20="">

Limpieza/que empaqueta

Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,

25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

Artículo

C-avión 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino

Grado

Primero, Epi-listo

Orientación superficial

C-avión (0001)

apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°

Diámetro

150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros

Grueso

μm 1300 +/- μm 25

Orientación plana primaria

Uno-avión (11-20) +/- 0.2°

Longitud plana primaria

47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Solo lateral pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie trasera

Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2

Lateral doble pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie trasera

Epi-pulido, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

ARCO

< 25="">

DEFORMACIÓN

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Limpieza/que empaqueta

Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,

25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

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Detalle del producto
Number modelo :
Zafiro (Al2O3)
Lugar del origen :
China
MOQ :
5 piezas
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos/mes
Plazo de expedición :
1-4 semanas
Proveedor de contacto
Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Company
Productos principales :
oblea piezoeléctrica, Oblea LiNbO3, Oblea LiTaO3
Total anual :
800M-1500M
Número de empleados :
10~99
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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