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El avión de C pulió la pulgada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2
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El avión de C pulió la pulgada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2
Especificaciones
Number modelo :
Zafiro (Al2O3)
Lugar del origen :
China
MOQ :
5 pedazos
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos/mes
Plazo de expedición :
1-4 semanas
Detalles de empaquetado :
Casete, tarro, paquete de la película
Material :
Zafiro
Crecimiento :
Método de Kyropoulos
Punto de fusión :
2040 grados de C
Conductividad termal :
27,21 con (m x K) en 300 K
CTE :
5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo); 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza :
Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g
Capacidad de calor específico :
419 j (kilogramo x K)
Constante dieléctrica :
11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz
Descripción

2 oblea del avión 0001 430um Sapphire Single Crystal Wafers Polished de la pulgada C

 

El zafiro es un solo cristal del alúmina y es el material segundo-más duro de la naturaleza, después de diamante. El zafiro tiene buena transmitencia ligera, de alta resistencia, resistencia de la colisión, lleva la resistencia, resistencia a la corrosión y la resistencia del temperatura alto y de alta presión, biocompatibility, es un material ideal del substrato para la producción de los dispositivos optoelectrónicos del semiconductor, las propiedades eléctricas del zafiro hacer que se convierte en el material del substrato para la producción de LED blanco y azul.

 

Grueso a largo plazo ≧0.1mm, oblea de la producción de nuestra compañía del zafiro alta precisión del tamaño ≧Φ2 de la forma de la”. Además del Φ2 convencional “, Φ4”, Φ6 “, Φ8”, otros tamaños se puede modificar para requisitos particulares, entra en contacto con por favor a nuestro personal de ventas.

 

El avión de C pulió la pulgada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2El avión de C pulió la pulgada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2El avión de C pulió la pulgada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2

 

Artículo C-avión de 2 pulgadas (0001) 430μm Sapphire Wafers
Crystal Materials El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino
Grado Primero, Epi-listo
Orientación superficial C-avión (0001)
apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°
Diámetro 50,8 milímetro +/- 0,1 milímetros
Grueso μm 430 +/- μm 25
Orientación plana primaria Uno-avión (11-20) +/- 0.2°
Longitud plana primaria 16,0 milímetro +/- 1,0 milímetros
Solo lateral pulido Front Surface Epi-pulido, Ra < 0="">
(SSP) Superficie trasera Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2
Lateral doble pulido Front Surface Epi-pulido, Ra < 0="">
(DSP) Superficie trasera Epi-pulido, Ra < 0="">
TTV < 10="">
ARCO < 10="">
DEFORMACIÓN < 10="">
Limpieza/que empaqueta Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,
25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

PROPIEDADES ÓPTICAS de SAPPHIRE Al 2O3

Alcance de transmisión

0,17 a 5,5 micrones

Índice de refracción

1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 micrones

Pérdida de reflexión

en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%

Ponga en un índice de la absorción

0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 micrones

dN/dT

13,7 x 10-6 en 5,4 micrones

dn/dm = 0

1,5 micrones

 

PROPIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3

Densidad

3,97 g/cm3

Punto de fusión

2040 grados de C

Conductividad termal

27,21 con (m x K) en 300 K

Extensión termal

5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K

Dureza

Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g

Capacidad de calor específico

419 j (kilogramo x K)

Constante dieléctrica

11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz

Módulo de Young (e)

335 GPa

(G) del módulo del esquileo

148,1 GPa

Módulo a granel (k)

240 GPa

Coeficientes elásticos

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Límite elástico evidente

MPa 275 (40.000 PSI)

Ratio de Poisson

0,25

 

Orientación

R-avión, C-avión, Uno-avión, M-avión o una orientación especificada

Tolerancia de la orientación

± 0.3°

Diámetro

2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras

Tolerancia del diámetro

0.1m m para 2 pulgadas, 0.2m m para 3 pulgadas, 0.3m m para 4 pulgadas, 0.5m m para 6 pulgadas

Grueso

0.25m m, 0.33m m, 0.43m m, 0.65m m, 1m m u otros;

Tolerancia del grueso

los 25μm

Longitud plana primaria

16.0±1.0m m para 2 pulgadas, 22.0±1.0m m para 3 pulgadas, 30.0±1.5m m para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0m m para 6 pulgadas

Orientación plana primaria

± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0); C-avión (0 0-0 1) ± 0.2°, C-AXIS proyectado 45 +/- 2°

TTV

≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas

ARCO

≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas

Front Surface

Epi-pulido (Ra< 0="">

Superficie trasera

Tierra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) o Epi-pulido

Empaquetado

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100

 

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China
MOQ :
5 pedazos
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos/mes
Plazo de expedición :
1-4 semanas
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Company
Productos principales :
oblea piezoeléctrica, Oblea LiNbO3, Oblea LiTaO3
Total anual :
800M-1500M
Número de empleados :
10~99
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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