Especificaciones
Descripción :
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V MOSFET de potencia HEXFET de canal N único en un paquete Micro 3
Las existencias :
100000
El tipo :
MOSFET del canal N
Voltaje de la Dren-fuente (VDS) :
20 V
Voltaje del umbral de la puerta (Vgs (th)) :
1V a 3V
Voltado máximo de la fuente de la puerta (Vgs) :
±12V
En-resistencia (RDS (encendido)) :
0.025Ω en Vgs = 4,5 V
Carga total de la puerta (Qg) :
10nC
Tipo de paquete :
El SOT-23
Rango de temperatura de funcionamiento :
-55°C a +150°C
El cumplimiento :
Conforme a las normas de Rohs
Descripción

Número de la parte: IRLML2060TRPBF


Resumen del producto:ElLos datos de los datos de los Estados miembros se publicarán en el Diario Oficial del Reino Unido.es un sistema de alto rendimientoMOSFET de canal NEste componente está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación eficiente, baja resistencia y rendimiento de alta velocidad en paquetes compactos.


Características clave:

  1. Tipo de vehículo: MOSFET de canal N
  2. Ventajas de la fuente de drenaje (Vds): 20 V
  3. Corriente de drenaje continua (Id): 6.3A
  4. La tensión de umbral de puerta (Vgs(th)): 1V a 3V
  5. Voltagem máxima de la fuente de entrada (Vgs): ± 12 V
  6. Resistencia de encendido (Rds ((en)): 0.025Ω en Vgs = 4,5 V
  7. Carga total de la puerta (Qg): 10nC
  8. Tipo de paquete: El SOT-23
  9. Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
  10. Conformidad: Conforme con la Directiva RoHS

Los campos de aplicación:

  • Cambiar de aplicación:Ideal para su uso en circuitos de conmutación de alta velocidad debido a sus capacidades de conmutación rápida.
  • Interruptores de carga:Apto para aplicaciones que requieren una baja resistencia de encendido y un cambio de carga eficiente.
  • Conversores de corriente continua:Se utiliza en circuitos de conversión de potencia para mejorar la eficiencia.
  • Las unidades motrices:Proporciona un rendimiento fiable en aplicaciones de control de motores.
  • Gestión de la batería:Garantiza un uso eficiente de la batería y la protección de los dispositivos alimentados por batería.

Instalación y uso:

ElLos datos de los datos de los Estados miembros se publicarán en el Diario Oficial del Reino Unido.El paquete SOT-23 permite el montaje de la tecnología de montaje de superficie compacta (SMT) en placas de circuitos impresos (PCB).Para maximizar el rendimiento y la fiabilidad, es esencial manejar y instalar correctamente.


Motivos para elegir el IRLML2060TRPBF:

La elección de laLos datos de los datos de los Estados miembros se publicarán en el Diario Oficial del Reino Unido.se asegura de que está utilizando unMOSFET de canal N de alta calidadconexcelente rendimiento y fiabilidadEste componente mejorará la eficiencia y la funcionalidad de sus sistemas electrónicos, proporcionandocambio efectivoybaja resistencia.

Compre el IRLML2060TRPBF hoy para optimizar sus diseños electrónicos y garantizar un rendimiento y una fiabilidad superiores!


Contacto con nosotros:

Para obtener más información o soporte técnico, visite el sitio web de Infineon Technologies o póngase en contacto con su equipo de servicio al cliente.Están disponibles para ayudarle con cualquier consulta o apoyo que pueda necesitar..

Envía tu mensaje a este proveedor
Envía ahora

IRLML2060TRPBF Infineon MOSFET de potencia con un solo canal N

Pregunta el precio más reciente
Ver el video
Descripción :
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V MOSFET de potencia HEXFET de canal N único en un paquete Micro 3
Las existencias :
100000
El tipo :
MOSFET del canal N
Voltaje de la Dren-fuente (VDS) :
20 V
Voltaje del umbral de la puerta (Vgs (th)) :
1V a 3V
Voltado máximo de la fuente de la puerta (Vgs) :
±12V
Proveedor de contacto
El video
IRLML2060TRPBF Infineon MOSFET de potencia con un solo canal N
IRLML2060TRPBF Infineon MOSFET de potencia con un solo canal N

Shenzhen Chive Electronics Co., Ltd.

Active Member
2 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2016
Total anual :
15000000-20000000
Número de empleados :
50~150
Nivel de certificación :
Active Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación