Sensor fotoeléctrico infrarrojo G12181-003A (fotodiodo PIN de InGaAs) para sistemas de comunicación óptica
Áreas de aplicación:
- Sistemas de comunicación óptica: Detecta señales NIR de alta velocidad (bandas de 1.3/1.55 μm) en transceptores de fibra óptica, lo que permite una transmisión de datos fiable en redes de telecomunicaciones.
- Medidores de potencia óptica de precisión: Sirve como un componente de detección central para medir la potencia óptica NIR en pruebas de laboratorio, mantenimiento de fibra óptica y calibración de láseres.
- Monitorización y pruebas de láseres: Permite la monitorización en tiempo real de la intensidad de salida del láser (por ejemplo, en láseres industriales, láseres médicos) y pruebas de ciclo de vida de los diodos láser.
- Fotometría de infrarrojo cercano: Se utiliza en análisis bioquímicos, ciencia de materiales y monitorización ambiental para medir la absorción, transmisión o reflexión de la luz NIR.
- Aeroespacial y defensa: Adecuado para la detección de objetivos basada en NIR, teledetección y sistemas de guiado óptico (gracias al amplio rango de temperatura y al bajo ruido).
Características principales:
- Cobertura NIR amplia: El rango espectral de 0.9–1.7 μm se alinea con las longitudes de onda clave para aplicaciones de comunicación, láser y fotometría.
- Corriente oscura ultrabaja: La corriente oscura máxima de 0.3 nA minimiza el ruido de fondo, lo que garantiza una alta relación señal-ruido (SNR) para la detección con poca luz.
- Respuesta de alta velocidad: La frecuencia de corte de 800 MHz admite la detección rápida de señales, ideal para la comunicación óptica de gran ancho de banda o la monitorización de láseres pulsados.
- Paquete compacto y duradero: El paquete metálico TO-18 ofrece estabilidad mecánica, fácil integración en circuitos y compatibilidad con montajes ópticos estándar.
- Sensibilidad constante: El bajo coeficiente de temperatura de la sensibilidad garantiza un rendimiento fiable en diferentes temperaturas ambiente.
Parámetro
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Especificación (Típ. / Máx.)
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Condiciones de prueba
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Área fotosensible |
φ0.3 mm |
- |
Número de elementos de detección |
1 (Elemento único) |
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Método de refrigeración |
Sin refrigeración (refrigeración ambiente pasiva) |
- |
Rango de respuesta espectral |
0.9 – 1.7 μm |
Cubre bandas NIR críticas (por ejemplo, 1.3/1.55 μm para telecomunicaciones) |
Longitud de onda de sensibilidad máxima |
~1.55 μm |
- |
Fotosensibilidad |
Típ. 1.1 A/W |
λ = 1.55 μm, Voltaje inverso (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃ |
Corriente oscura |
Máx. 0.3 nA |
Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Sin luz incidente |
Frecuencia de corte (-3dB) |
Típ. 800 MHz |
Vᵣ = 5V, Resistencia de carga (Rₗ) = 50Ω, λ = 1.3 μm |
Capacitancia de unión |
Típ. 4 pF |
Vᵣ = 5V, Frecuencia (f) = 1 MHz |
Potencia equivalente de ruido (NEP) |
Típ. 3.5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² |
λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
Detectividad (D*) |
Típ. 7.2×10¹² cm·Hz¹/²/W |
λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
Resistencia de derivación |
300 – 1200 MΩ |
Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Sin luz |
Voltaje inverso máximo (Vᵣₘₐₓ) |
20 V |
Tₐ = 25℃ |
Rango de temperatura de funcionamiento |
-40℃ – 100℃ |
Rendimiento estable en entornos industriales hostiles |
Rango de temperatura de almacenamiento |
-55℃ – 125℃ |
- |
Coeficiente de temperatura de sensibilidad |
1.08 veces/℃ |
En relación con 25℃, λ = 1.55 μm |
