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S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura
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S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura
Especificaciones
Número de modelo :
S12060 a 10
Cantidad mínima de pedido :
Estándar
Capacidad de suministro :
3000/pcs/mes
Tiempo de entrega :
3-5Días laborables
Detalles del embalaje :
Estándar
El tipo :
Tipo del infrarrojo cercano
Área fotosensible :
φ1 mm
Paquete :
El metal
Categoría del paquete :
TO-18
longitud de onda de sensibilidad máxima (típica) :
Las demás medidas
Rango de respuesta espectral :
Entre 400 y 1000 Nm
Descripción

S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura

 

 

Se trata de un APD de Si de banda cercana al infrarrojo de 800 nm que puede operar de manera estable en un amplio rango de temperaturas, adecuado para aplicaciones como telémetros ópticos y FSO (óptica del espacio libre).

 

Características
- Coeficiente de temperatura de tensión de ruptura: 0,4 V/°C
- Respuesta de alta velocidad
- Alta sensibilidad, bajo ruido

 

Sensibilidad (típica) 0.5 A/W
Corriente oscura (máxima) 2 nA
Frecuencia de corte (típica) 600 MHz
Capacidad terminal (típica) 6 pF
Tensión de ruptura (típica) Las demás:
Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico) 0.4 V/°C
Ganancia (típica) 100

 

S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura

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S12060-10 Fotodiodo de avalancha de silicio coeficiente de baja temperatura

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Número de modelo :
S12060 a 10
Cantidad mínima de pedido :
Estándar
Capacidad de suministro :
3000/pcs/mes
Tiempo de entrega :
3-5Días laborables
Detalles del embalaje :
Estándar
El tipo :
Tipo del infrarrojo cercano
Proveedor de contacto
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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Verified Supplier
4 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Sensor oxígeno-gas, Sensor electroquímico del gas, Sensor del gas
Total anual :
900000-1000000
Número de empleados :
50~80
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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