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2v Smd de cerámica 350ma llevó la gota 0.67w 3030 70-100lm 620-632nm de la luz del microprocesador
2v Smd de cerámica 350ma llevó la gota 0.67w 3030 70-100lm 620-632nm de la luz del microprocesador
Especificaciones
Number modelo :
CERAMIC3030
Lugar del origen :
SUZHOU
MOQ :
5000pcs
Condiciones de pago :
Western Union, MoneyGram, T/T
Capacidad de la fuente :
4000K POR MES
Plazo de expedición :
7-10 días
Detalles de empaquetado :
4000PCS /ROLL
Nombre :
ROJO DE SMD LED CERAMIC3030
λd :
620-632nm
Poder :
0.67W
voltaje del nput (V) :
2v
Flujo luminoso (lm) :
70-100lm
Garantía (año) :
2 años
Hora laborable (horas) :
20000
Temperatura de funcionamiento (℃) :
-40-85
Descripción

MICROPROCESADOR de 2V 350MA 0.67W CERAMIC3030 70-100LM 620-632NM SMD LED PARA la iluminación del jardín de la arquitectura (LED y laser)

robustez superior, alta confiabilidad, curso de la vida largo, resistencia termal baja. Perfectamente dirección de los usos que exigen para la eficacia alta y el paquete de cerámica de SMT del requisito largo del curso de la vida con la lente del silicón
Radiación: 80° ESD: CRNA de 8 kilovoltios. al flujo luminoso de ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B): tipo. eficacia luminosa de 85 lm: tipo. 115 lm/W

Grados máximos

Parámetro                                                                     Símbolo                                                  Valores

Temperatura de funcionamiento

Top

mínimo.

máximo.

-40 °C

°C 125
Temperatura de almacenamiento

Tstg

mínimo.

máximo.

-40 °C

°C 125
Temperatura de empalme T máximo. °C 135
Corriente delantera Yo

mínimo.

máximo.

100 mA

1000 mA

Sobretensión

µs del ≤ 10 de t; D = 0,005; TJ = °C 25

 FS máximo. 1500 mA
Voltaje reverso 2) V   No diseñado para la operación reversa

El ESD soporta voltaje

CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B)

 ESD   8 kilovoltios

 

Características

I = 700 mA; TJ = °C 25

Parámetro                                                                     Símbolo                                                Valores

Longitud de onda máxima λpeak                     tipo.                        6340 nanómetro

Longitud de onda del centro de figura 3)

I = 350 mA

λdom                      mínimo                       620 nanómetro

                               tipo.                        623 nanómetro

                               máximo                      632 nanómetro

 

      
Ancho de banda espectral en el rel, máximo ∆λ                           tipo.                         16 nanómetro
Ángulo de visión en el 50% IV 2φ                           tipo.                        ° 80

Voltaje delantero 4)

I = 350 mA

1.8V

2.00V

2.30V
2) actual reverso No diseñado para la operación reversa
Empalme eléctrico/solderpoint de la resistencia termal con el ηe de la eficacia el = 74% RthJS eléctrico             tipo.                         2,5 K/W

 

Grupos del voltaje delantero

Voltaje delantero del grupo 4)

I = 350 mA

70 lm 75 lm

75 lm

 82 lm
82 lm 90 lm
90 lm 100 lm

Centroide

Grupo

Longitud de onda del centro de figura 3)

I = 350 mA

λcentroid

620NM 632NM

 

Emisión espectral relativa

Irel = f (λ); SI = 350 mA; TJ = °C 25

 

Características de la radiación

 

Irel = f (ϕ); TJ = °C 25

 

 

2v Smd de cerámica 350ma llevó la gota 0.67w 3030 70-100lm 620-632nm de la luz del microprocesador

 

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2v Smd de cerámica 350ma llevó la gota 0.67w 3030 70-100lm 620-632nm de la luz del microprocesador

 

 

Dibujo dimensional

2v Smd de cerámica 350ma llevó la gota 0.67w 3030 70-100lm 620-632nm de la luz del microprocesador

Información adicional:

Peso aproximado:         magnesio 28,0

Marca del paquete:              Ánodo

Prueba de corrosión: Clase:         condición 3BTest: derecho/15 PPM de 40°C/el 90% de H2S/14 días (de más estricto que IEC 60068-2-43)

Consejo del ESD:                       El dispositivo es protegido por el dispositivo del ESD que está conectado paralelamente con el microprocesador.

 

Perfil el soldar de flujo

El producto cumple al CRNA del nivel 2 de MSL. a JEDEC J-STD-020E

2v Smd de cerámica 350ma llevó la gota 0.67w 3030 70-100lm 620-632nm de la luz del microprocesador

 

Característica del perfil                                            Símbolo              Asamblea Pb-libre (de SnAgCu)         Unidad

                                                                                          Máximo mínimo de la recomendación

Tarifa de la rampa-para arriba al preheat*)                                            2

°C 25 al °C 150

 3 K/s

tS                                                                                60                100

T a T

 120 s

Tarifa de la rampa-para arriba al peak*)

T a T                                                                             2

 3 K/s
Temperatura TL de Liquidus                                                                217   °C
Tiempo sobre la temperatura tL del liquidus                                                80 100 s
Temperatura máxima T                                                                       245 260 °C

Tiempo dentro del °C 5 del pico especificado                        10                  20

temperatura TP - 5 K

 30 s

Rate* de la rampa-abajo                                                                             3

T al °C 100

 6 K/s

Tiempo

°C 25 al TP

 480 s

 

Todas las temperaturas refieren al centro del paquete, medido en el top del componente * cálculo DT/Dt de la cuesta: Máximo 5 s de despegue; cumplimiento para la T-gama entera

 

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5000pcs
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Capacidad de la fuente :
4000K POR MES
Plazo de expedición :
7-10 días
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Phoenix (suzhou) electronic Co.,ltd

Site Member
4 Años
jiangsu, suzhou
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter, Seller
Productos principales :
MICROPROCESADOR DE SMD LED, Microprocesador del RGB LED, Microprocesador de la luz del LED
Total anual :
1000-2000
Número de empleados :
100~200
Nivel de certificación :
Site Member
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