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Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia
Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia
Especificaciones
Lugar de origen :
China.
Cantidad mínima de pedido :
Pregunte
Condiciones de pago :
T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro :
600KK/año
Tiempo de entrega :
2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)
Detalles del embalaje :
Tube+Carton
Velocidad que cambia :
Velocidad de cambio más rápida
Nombre del producto :
IGBT de alta potencia
Aplicación :
OBC, pila de carga, máquina de soldadura, fuente de alimentación de conmutación, inversor fotovoltai
Ventajas :
Diseño de mesa estrecha, diseño de combinación de ranuras más optimizado, diseño de mayor confiabili
Tipo de dispositivo :
IGBT
Paquete :
TO-247
Descripción

MOSFET multifuncional de bajo voltaje para gestión de energía

 

Características
• Coeficiente de temperatura positivo
• Conmutación de alta velocidad
• Baja tensión de saturación del colector con el emisor
• Facilidad de conmutación paralela
• Cortocircuito soporta tiempo de 10 μs
• Alto rendimiento de resistencia

 

Las aplicaciones
• Estación eléctrica portátil
• El conductor de automóviles
 
Envase:
TO-247
 
 
 
Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia
 
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Detalle del producto
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China.
Cantidad mínima de pedido :
Pregunte
Condiciones de pago :
T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro :
600KK/año
Tiempo de entrega :
2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)
Detalles del embalaje :
Tube+Carton
Proveedor de contacto
El video
Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Active Member
2 Años
guangdong, dongguan
Desde 2012
Productos principales :
Inversor IGBT, IGBT de alta potencia, MOSFET del poder más elevado
Total anual :
>40000000
Número de empleados :
>200
Nivel de certificación :
Active Member
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