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Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N
Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N
Especificaciones
Lugar de origen :
China.
Cantidad mínima de pedido :
Pregunte
Condiciones de pago :
T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro :
600KK/año
Tiempo de entrega :
2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)
Detalles del embalaje :
Tube+Carton
Válvula de tensión :
Alta tensión
Ventajas :
Proceso estable y calidad fiable
Capacitancia de empalme :
Capacidad de unión baja
Eficiencia :
Alta eficiencia
Características :
Baja RDS ((on) por área del chip ((Low FOM)
Aplicaciones :
Inversores solares, fuente de alimentación AC-DC
Descripción

Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N

 

Características
• Baja carga de la puerta
• Baja RDS ((on) por área de chip ((FOM baja)
• Muy baja pérdida de conmutación y conducción
• Extremadamente alta robustez de conmutación

 

Las aplicaciones
• Inversores solares
• Televisores LCD/LED/PDP
• Fuentes de energía de telecomunicaciones/servidores
• Fuente de alimentación AC-DC
 
 
 
 
 
Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N
 
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Detalle del producto
Lugar de origen :
China.
Cantidad mínima de pedido :
Pregunte
Condiciones de pago :
T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro :
600KK/año
Tiempo de entrega :
2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)
Detalles del embalaje :
Tube+Carton
Proveedor de contacto
El video
Aplicación múltiple Semiconductor de alta potencia Canal N

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Active Member
2 Años
guangdong, dongguan
Desde 2012
Productos principales :
Inversor IGBT, IGBT de alta potencia, MOSFET del poder más elevado
Total anual :
>40000000
Número de empleados :
>200
Nivel de certificación :
Active Member
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