MachineU > Productos de China
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Especificaciones
Number modelo :
TPH2R306NH1, LQ
Lugar del origen :
original
MOQ :
10pcs
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
100000pcs por boca
Plazo de expedición :
días 3-5work
Detalles de empaquetado :
10000pcs
Tipo :
MOSFET
Descripción :
UMOS8 SOP-ADV (N) RDSon=2.3mohm (máximo)
Paquete :
DFN5X6
Empaquetado :
caja del tape&
Garantía :
90days después de enviar
Envío cerca :
DHL \ UPS \ Fedex \ poste \ TNT del ccsme \ de HK
Descripción

Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1, LQ Toshiba 190A automotriz 60V 1,9 MOhms U-MOS

Usos

• Convertidores de gran eficacia de DC-DC

• Reguladores de voltaje que cambian

• Conductores del motor

Descripción

Los MOSFETs automotrices del poder de Toshiba U-MOSVIII-H son MOSFETs del poder del canal N 100V ideales para

usos automotrices. Ofrecen en-resistencia baja con tecnología propietaria usando un Cu

conector. Tienen una gama estrechada del voltaje del umbral de la puerta de 2.5V a 3.5V, que reduce

tolerancia del tiempo que cambia.

          

Características

                                                                                                              
(1) transferencia de alta velocidad
(2) pequeña carga de la puerta: QSW = 26 nC (tipo.)
(3) pequeña carga de la salida: Qoss = 91 nC (tipo.)
(4) en-resistencia baja de la dren-fuente: RDS (ENCENDIDO) de = Ω 1,9 m (tipo.) (VGS = 10 V)
(5) corriente baja de la salida: IDSS = µA 10 (máximo) (VDS = 60 V)
(6) modo del aumento: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, I D = 1,0 mA)
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
 

Especificaciones

Cualidad de producto Valor del atributo
Toshiba
Categoría de producto: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOP-8
Canal N
1 canal
60 V
190 A
1,9 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
72 nC
+ 150 C
170 W
Aumento
UMOS VIII-H
Carrete
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 16 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 9,9 ns

Guía comercial

Envío Período de entrega Para las piezas en existencia, las órdenes se estiman para enviar hacia fuera en 3 días.
Una vez que está enviado, estimado plazo de expedición depende de los portadores abajo que usted eligió:
DHL expresa, 3-7 días laborales.
Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.
Tarifas de envío Después de confirmar la orden, evaluaremos el coste de envío basado en el peso de las mercancías
Opciones de envío Proporcionamos DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y el envío internacional registrado del correo aéreo.
Seguimiento del envío Le notificaremos por el correo electrónico con número de seguimiento una vez que se envía la orden.

Vuelta

garantía

 Vuelta Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas en el plazo de 30 días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y en el empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para el envío.
Garantía Todas las compras de Retechip vienen con una política de devoluciones de devolución de 30 días, esta garantía no se aplicará a ningún artículo donde los defectos han sido causados por la operación incorrecta de la asamblea, del fracaso del cliente para seguir instrucciones, de producto de la modificación, negligente o incorrecta del cliente
El ordenar

 

Pago

 

 T/T, Paypal, tarjeta de crédito incluye la visa, amo, American Express

 

Envía tu mensaje a este proveedor
Envía ahora

Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1

Pregunta el precio más reciente
Detalle del producto
Number modelo :
TPH2R306NH1, LQ
Lugar del origen :
original
MOQ :
10pcs
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
100000pcs por boca
Plazo de expedición :
días 3-5work
Proveedor de contacto
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1
Transistor de poder del Mosfet TPH2R306NH1

Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Verified Supplier
3 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2013
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Chip CI del circuito integrado, Chips CI programables, Chip CI de la memoria
Total anual :
5000000-1000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Descubre productos similares
Ver más

Encuentra productos similares por categoría:

Página de inicio del proveedor Productos Transistores de NPN PNP
MachineU Productos de China
Proveedor de contacto
Requisito de presentación