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SEMIPUENTE 8DIP Infineon Technologies de la PUERTA DRVR de IR2111 IC
SEMIPUENTE 8DIP Infineon Technologies de la PUERTA DRVR de IR2111 IC
Especificaciones
Number modelo :
IR2111
MOQ :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
en existencia
Plazo de expedición :
3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
caja antiestática del bolso y de cartón
Configuración conducida :
Semipuente
Tipo de canal :
Síncrono
Número de conductores :
2
Tipo de la puerta :
IGBT, MOSFET del canal N
Voltaje - fuente :
10V ~ 20V
Voltaje de la lógica - VIL, VIH :
8.3V, 12.6V
Actual - salida máxima (fuente, fregadero) :
250mA, 500mA
Tipo entrado :
No-inversión
Alto voltaje lateral - máximo (tirante) :
600 V
Tiempo de la subida/caída (tipo) :
80ns, 40ns
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo :
A través del agujero
Paquete/caso :
8-DIP (0,300", 7.62m m)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-PDIP
Descripción

SEMIPUENTE 8DIP Infineon Technologies de la PUERTA DRVR de IR2111 IC

Detalles del producto

Descripción

El IR2111 es un MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y el conductor de IGBT con el lado dependiente del cielo y tierra se refirió a los canales de salida diseñados para los medios usos del puente. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salidas estándar del Cmos. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El deadtime interno se proporciona para evitar lanzamiento-por en el semipuente de la salida. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.

Características

• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante
Completamente - operativo a +600V
Tolerante al voltaje transitorio negativo
dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• El Cmos Schmitt-accionó entradas con tirón-abajo
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Deadtime internamente determinado
• Alta salida lateral en fase con la entrada
• SIN PLOMO también disponible

Especificaciones

Cualidad Valor del atributo
Fabricante Infineon
Categoría de producto Conductores de la puerta
Serie -
Tipo Semipuente
Empaquetado Tubo
Paquete-caso A través del agujero
Actuar-temperatura 80ns, 40ns
Montaje-tipo -40°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor-Dispositivo-paquete 8-DIP (0,300", 7.62m m)
Resolución-pedazos 2
Dato-interfaz Síncrono
Voltaje-Fuente-análogo No-inversión
Voltaje-Fuente-digital 600V
Número-de-ADC-DACs
Sigma-delta 10 V ~ 20 V
S-n-ratio-ADC-DACs-DB-Typ 8.3V, 12.6V
Dinámico-Gama-ADC-DACs-DB-Typ 250mA, 500mA

Descripciones

Conductor IC Non-Inverting 8-DIP de la puerta del semipuente
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Detalle del producto
Number modelo :
IR2111
MOQ :
1
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
en existencia
Plazo de expedición :
3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
caja antiestática del bolso y de cartón
Proveedor de contacto
SEMIPUENTE 8DIP Infineon Technologies de la PUERTA DRVR de IR2111 IC

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Company
Productos principales :
Circuito integrado IC, Módulo del RF IC, Gestión ICs del poder
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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