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sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V
sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V
Especificaciones
Number modelo :
IMBG120R045M1H
Lugar del origen :
CN
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
TO-263-8
Número de parte :
IMBG120R045M1H
El cortocircuito soporta tiempo :
3 µs
Voltaje de la puerta de la vuelta-apagado :
0V
Qg - carga de la puerta :
46 nC
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :
5,7 V
Voltaje del umbral de la puerta de la prueba patrón :
VGS (th) = 4.5V
Descripción

sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V

 

Descripción de producto de IMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H es MOSFET del foso de CoolSiC™ 1200V sic con tecnología de la interconexión de .XT.

 

Especificación de IMBG120R045M1H

Número de parte: IMBG120R045M1H
Sic
SMD/SMT
TO-247-7
1,2 kilovoltios
47 A
45 mOhms
- 7 V, + 23 V

 

Características de IMBG120R045M1H

  • El cortocircuito soporta µs del tiempo 3
  • DV/dt completamente controlable
  • Voltaje del umbral de la puerta de la prueba patrón, VGS (th) = 4.5V
  • Robusto contra parásito gírese, voltaje de la puerta de la vuelta-apagado 0V puede ser aplicado
  • Diodo robusto del cuerpo para la conmutación dura

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
MC44CC373CAEFR2 SOP16
HMC939LP4E QFN
AM79C984AJC PLCC84
RE46C141SW16TF SOP16
BSC190N15NS3G TDSON-8
UC2637DWTR SOP20


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

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Detalle del producto
Number modelo :
IMBG120R045M1H
Lugar del origen :
CN
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
TO-263-8
Proveedor de contacto
sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Microprocesador del circuito integrado, BT IC, Módulos automotrices de IGBT
Total anual :
1000000-2000000
Número de empleados :
20~50
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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