Parada de campo de alta velocidad del foso de los transistores IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

Descripción de producto de IKQ100N120CH7XKSA1

El IKQ100N120CH7XKSA1 duro-cambió 1200 V, 100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 que el dispositivo discreto en un paquete del perno de TO-247PLUS 3 se diseña para cubrir las necesidades de usos con poco carbono tales como picovoltio solar, sistemas de alimentación ininterrumpida y cargas de batería.

Cualidades de producto de IKQ100N120CH7XKSA1

Características de IKQ100N120CH7XKSA1

• VCE = 1200 V
• IC = 100 A
• Temperatura de empalme máxima Tvjmax = 175°C
• la Mejor-en-clase IGBT de alta velocidad co-embaló con la corriente clasificada completa, Qrr bajo y el diodo de alta velocidad suave-que conmutaba
• Voltaje de saturación bajo VCEsat = 1,7 V en Tvj = 25°C

Usos de IKQ100N120CH7XKSA1

• UPS industrial
• EV-carga

Otros tipos de producto de la fuente

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.