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del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W
del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W
Especificaciones
Number modelo :
MSCSM170HM23CT3AG
Lugar del origen :
NC
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Módulo
Número de parte :
MSCSM170HM23CT3AG
Disipación de poder TC = °C 25 :
602W (máximo)
Dren-fuente EN la resistencia (máxima) :
22.5mΩ
Corriente de la salida de la Puerta-fuente (VGS = 20 V; VDS = 0 V) :
200nA (máximo)
Resistencia interna de la puerta (tipo) :
2.93Ω
resistencia termal del Empalme-a-caso (máxima) :
0.25°C/W
Descripción

del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W

 

Descripción de producto de MSCSM170HM23CT3AG

MSCSM170HM23CT3AG es por completo el módulo de poder del MOSFET del puente sic, 1700 V, módulo del arsenal del Mosfet del carburo de silicio de 124 A (sic).

 

Especificación de MSCSM170HM23CT3AG

Número de parte MSCSM170HM23CT3AG
Tecnología
Carburo de silicio (sic)
Configuración
Canal N 4 (puente lleno)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
1700V (1.7kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
124A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
22.5mOhm @ 60A, 20V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3.2V @ 5mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
356nC @ 20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
6600pF @ 1000V
Poder - máximo
602W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte del chasis
Paquete/caso
Módulo

 

Esquema eléctrica de MSCSM170HM23CT3AG

del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W
 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte Paquete
UCC24610DRBR SON8
TPS65286RHDR VQFN28
ADS1294IPAG TQFP64
DS90LV017ATMX SOP-8
NTD4906NT4G TO-252
EL5420CRZ TSSOP14


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

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Detalle del producto
Number modelo :
MSCSM170HM23CT3AG
Lugar del origen :
NC
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Módulo
Proveedor de contacto
del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Microprocesador del circuito integrado, BT IC, Módulos automotrices de IGBT
Total anual :
1000000-2000000
Número de empleados :
20~50
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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