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solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W
solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W
Especificaciones
Number modelo :
AFGHL40T65SQ
Lugar del origen :
NC
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
TO-247-3
Número de parte :
AFGHL40T65SQ
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 40A
Resistencia termal junction−to−ambient :
40°C/W
Carga de la puerta :
68 nC
Junction−to−case de la resistencia termal, para IGBT :
0.63°C/W
Energía que cambia :
250µJ (encendido), 90µJ (apagado)
Descripción

solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

 

Descripción de producto de AFGHL40T65SQ

El solo IGBT transistor de AFGHL40T65SQ 28ns, paquete es TO-247-3, a través de agujero, parada de campo del foso 238W. La disipación de poder máxima @ TC = 100°C es 119W.

 

Especificación de AFGHL40T65SQ

Número de parte: AFGHL40T65SQ Actual - colector pulsado (Icm): 160 A
Temperatura de empalme máxima: TJ = 175°C Poder - máximo: 238 W
Voltaje de saturación bajo: VCE (Sat) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 40 A Condición de prueba: 400V, 20A, 6Ohm, 15V

 

Características de los microprocesadores del automóvil

  • Disipación de poder máxima @ TC = 25°C: 238W
  • Disipación de poder máxima @ TC = 100°C: 119W
  • Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme/de almacenamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Corriente delantera @ TC del diodo < 25="">
  • Corriente delantera @ TC del diodo < 100="">

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte Paquete
PIC32MX695F512L-80I/PT TQFP
PJF7993ATW SSOP20
PKC4111PI DC-DC
PKC4113PI DC-DC
PKC4121PI DC-DC
PKC4131PI DC-DC

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

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solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

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Detalle del producto
Number modelo :
AFGHL40T65SQ
Lugar del origen :
NC
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
TO-247-3
Proveedor de contacto
solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Microprocesador del circuito integrado, BT IC, Módulos automotrices de IGBT
Total anual :
1000000-2000000
Número de empleados :
20~50
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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