Transistores TO-263-8 del MOSFET del poder del microprocesador IMBG65R163M1HXTMA1 del circuito integrado
Descripción de producto de IMBG65R163M1HXTMA1
De IMBG65R163M1HXTMA1 SMD del acuerdo del paquete el MOSFET sic, tecnología del MOSFET de CoolSiC™ aumenta las ventajas únicas del funcionamiento, de la robustez y de la facilidad de empleo del dispositivo maximizando las propiedades físicas potentes del carburo de silicio.
Especificación de IMBG65R163M1HXTMA1
Número de parte: | IMBG65R163M1HXTMA1 |
Serie
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CoolSIC™ M1
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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SiCFET (carburo de silicio)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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650 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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17A (Tc)
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Características de IMBG65R163M1HXTMA1
Otros componentes electrónicos en existencia
Número de parte | Paquete |
MAX72024C | BGA924 |
MGA-13116 | QFN |
ADS42JB46IRGCR | VQFN-64 |
MSP430F5310IZQE | BGA80 |
MSP430F5328IZQE | BGA80 |
STM32L485JCY6TR | BGA |
FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.