Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Uso :
película fina y película gruesa microelectrónica, poder más elevado y circuito de alta frecuencia RF
Diámetro :
/Ø 4"/Ø/Ø Ø 1" 2" 3"
Grueso :
0,4 milímetros/0,5 milímetros/1 milímetro
Grado :
Grado de la SIERRA y grado óptico
Descripción

 

Substratos de cerámica AIN

 

 

Proporcionamos el substrato de cerámica de AlN. El substrato de AlN es uno del substrato de cerámica más popular que tiene resistencia térmica excelente, alta fuerza mechnical, resistencia de abrasión y pequeña pérdida dieléctrica. La superficie del substrato de AlN es porosidad muy lisa y baja. El nitruro de aluminio tiene conductividad termal más alta, comparada al substrato del alúmina, él es cerca de 7 a 8 veces altas. El substrato de AlN es un material electrónico excelente del paquete. Proporcionamos el substrato de AlN para una amplia gama de usos, incluyendo la película fina y la película gruesa microelectrónica, el poder más elevado y el circuito de alta frecuencia RF/los componentes de la microonda y el condensador o el resistor, nos entran en contacto con para una información de producto más de cerámica de la oblea.

 

Propiedades de la oblea de AlN

 

Fórmula química AlN
Color Gris
Densidad 3,3 g/cm 3
Conductividad termal 160 ~ 190 W/m. K
Extensión termal (x10 -6/℃) 4,6
Fuerza dieléctrica 14E6
Constante dieléctrica (en 1MHZ) 8,7
Tangente de la pérdida (x10 -4 @1MHZ) 5
Resistencia de volumen >1E14 ohmio-cm
Diámetro /Ø 4"/Ø/Ø Ø 1" 2" 3"
Tamaño cuadrado 10 x 10/20 x 20/50 x 50/100 x 100 milímetros
Grueso 0,4 milímetros/0,5 milímetros/1 milímetro
Superficie Según lo encendido
  un lado pulido/dos lados pulidos
Aspereza <= 0,3 del Ra um
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Diámetro 3" 4" película gruesa de las piezas del substrato de cerámica de cerámica técnico de AlN microelectrónica

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Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Proveedor de contacto
Diámetro 3 4 película gruesa de las piezas del substrato de cerámica de cerámica técnico de AlN microelectrónica

HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación