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Oblea de GE de 2 pulgadas a de 4 pulgadas a Micro Electronics y a la industria de electrónica opta
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Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Uso :
Dispositivo de semiconductor, microelectrónica, sensor, célula solar, la óptica del IR.
Diámetro :
/Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso :
500 um ~ 625 um
Grado :
Grado de la electrónica
Descripción

Oblea de GE a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 4 pulgadas

 

Somos un proveedor mundial de la sola oblea cristalina de GE (oblea del germanio) y solo lingote cristalino de GE, tenemos una ventaja fuerte en el abastecimiento de la oblea de GE a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en gama del diámetro a partir de 2 pulgadas a 4 pulgadas. La oblea de GE es una elemental y el material popular del semiconductor, debido a sus propiedades cristalográficas excelentes y a las propiedades eléctricas únicas, oblea de GE widly se utiliza en sensor, célula solar y los usos infrarrojos de la óptica. Podemos proporcionar las obleas listas bajas de GE de la dislocación y del epi para cubrir sus necesidades únicas del germanio. La oblea de GE se produce según SEMI. estándar y embalado en casete estándar con el vacío sellado en el ambiente del sitio limpio, con un sistema del buen control de calidad, nos dedican a proporcionar productos limpios y de alta calidad de la oblea de GE. Podemos ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR, nos entra en contacto con por favor para más información de producto de GE

 

Solo Crystal Germanium Wafer Capability

SWI puede ofrecer el grado de la electrónica y la oblea de GE del grado del IR y el lingote de GE, nos entran en contacto con por favor para más información de producto de GE.
 

Conductividad Dopante Resistencia
(ohmio-cm)		 Tamaño de la oblea
NA Sin impurificar >= 30 Hasta 4 pulgadas
Tipo de N Sb 0,001 ~ 30 Hasta 4 pulgadas
Tipo de P GA 0,001 ~ 30 Hasta 4 pulgadas

Usos:

Dispositivo de semiconductor, microelectrónica, sensor, célula solar, la óptica del IR.

 

Propiedades de la oblea de GE

 
Fórmula química GE
Estructura cristalina Cúbico
Parámetro del enrejado a=0.565754
Densidad (g/cm3) 5,323
Conductividad termal 59,9
Punto de fusión (°C) 937,4

 

Especificación de producto

 
Crecimiento Czochralski
Diámetro /Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso 500 um ~ 625 um
Orientación <100>/<111>/<110> u otros
Conductividad P - tipo/N - tipo
Dopante Galio/antimonio/sin impurificar
Resistencia 0,001 ~ 30 ohmio-cm
Superficie SSP/DSP
TTV <= 10 um
Arco/deformación <= 40 um
Grado Grado de la electrónica

 

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Detalle del producto
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Proveedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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