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Solo arseniuro de galio de la oblea de Crystal Polycrystalline GaAs para el circuito de la microonda del LD LED
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Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Uso :
fabricación del LD, del LED, del circuito de la microonda y de usos de la célula solar
Diámetro :
/Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso :
350 um ~ 625 um
Grado :
Epi pulió el grado/el grado mecánico
Descripción

Sola oblea cristalina y policristalina del GaAs (arseniuro de galio) para hacer LD, LED, circuito de la microonda, célula solar

 

Proporcionamos la sola oblea cristalina y policristalina del GaAs (arseniuro de galio) a la industria de la optoelectrónica y de la microelectrónica para hacer el LD, el LED, el circuito de la microonda y usos de la célula solar, en gama del diámetro a partir de la 2" a 4". Ofrecemos la sola oblea cristalina del GaAs producida por dos técnicas principales LEC del crecimiento y método de VGF, permitiendo que proveamos de clientes la opción más amplia del material del GaAs la alta uniformidad de propertirs eléctricos y de la calidad superficial excelente. El arseniuro de galio se puede suministrar como los lingotes y obleas pulidas, conduciendo y la oblea semiaislante del GaAs, el grado mecánico y el grado listo están toda del epi disponibles. Podemos ofrecer la oblea del GaAs con valor bajo de EPD y la alta calidad superficial conveniente para sus usos del MOCVD y del MBE, nos entra en contacto con por favor para más información de producto.

 

 

Característica y uso de la oblea del GaAs

 

Característica Campo del uso
Alta movilidad de electrón Diodos electroluminosos
De alta frecuencia Diodos láser
Alta eficacia de conversión Dispositivos fotovoltaicos
Bajo consumo de energía Alto transistor de movilidad de electrón
Hueco de banda directo Transistor bipolar de la heterounión

 

Especificación de producto

 
Crecimiento LEC/VGF
Diámetro /Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso 350 um ~ 625 um
Orientación <100>/<111>/<110> u otros
Conductividad P - tipo/N - tipo/semiaislante
Dopante Zn/Si/sin impurificar
Superficie Un lado pulió o dos lados pulidos
Concentración 1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV <= 10 um
Arco/deformación <= 20 um
Grado Epi pulió el grado/el grado mecánico

 

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Detalle del producto
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Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Proveedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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