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2um - silicio de cerámica técnico de las piezas 300um en el aislador SOI Wafer
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Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Uso :
circuitos integrados, dispositivo del detector/del sensor, fabricación de MEMS, componentes optoelec
Diámetro :
/Ø 8"/Ø Ø 4" 6"
Grueso del dispositivo :
2 um ~ 300 um
Capa :
El óxido y el nitruro se pueden suministrar a ambos lados de la oblea de SOI
Descripción

 

SOI Wafer (Silicio-en-aislador)

 

Proporcionamos la oblea de alta calidad de SOI (Silicio-en-aislador) para una variedad de uso incluyendo MEMS, el dispositivo de poder, los sensores de la presión y fabricación del circuito integrado del Cmos. La oblea de SOI proporciona una solución potencial para el dispositivo de la velocidad y del bajo consumo de energía y se ha reconocido extensamente como nueva solución para el alto voltaje y los componentes del RF. La oblea de SOI es una estructura del bocadillo incluyendo una capa del dispositivo (capa activa) en el top, una capa enterrada del óxido (capa aislador SiO2) en el centro, y una oblea de la manija (silicio a granel) en la parte inferior. Las obleas de SOI se producen usando SIMOX y tecnología de enlace de la oblea para alcanzar el deluente y la capa exacta del dispositivo y para asegurar el requisito de la uniformidad del grueso y de la densidad baja del defecto. Podemos proveer de la oblea de SOI en el diámetro 4" y 8" grueso flexible y gama ancha de la resistencia para cumplir sus requisitos únicos de SOI. Éntrenos en contacto con para informaciones de producto más futuras de SOI.

 

SOI Wafer Application

 

 

ICs de alta velocidad ICs des alta temperatura
ICs de baja potencia ICs de baja tensión
Componentes de la microonda Dispositivo de poder
MEMS Semiconductor

 

Especificación de producto

 
Método Vinculación de la fusión
Diámetro /Ø 8"/Ø Ø 4" 6"
Grueso del dispositivo 2 um ~ 300 um
Tolerancia +/- 0,5 um ~ 2 um
Orientación <100>/<111>/<110> u otros
Conductividad P - tipo/N - tipo/lo intrínseco
Dopante Boro/fosforado/antimonio/arsénico
Resistencia 0,001 ~ 100000 ohmio-cm
Grueso del óxido 500A ~ 4 um
Tolerancia el +/- 5%
Oblea de la manija >= 300 um
Superficie Los lados dobles pulieron
Capa El óxido y el nitruro se pueden suministrar a ambos lados de la oblea de SOI
 

 

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Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Proveedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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