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500Um a 625Um GaAs basó el grado mecánico pulido oblea del grado de Epi
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Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Uso :
microelectrónica, optoelectrónica y microonda del RF
Diámetro :
/Ø 4" Ø 3" oblea del GaAs
Grueso :
500 um ~ 625 um
Grado :
Epi pulió el grado/el grado mecánico
Descripción

 

 

El GaAs basó la oblea de Epi

 

Proporcionamos crecimiento epitaxial del MBE/del MOCVD de la estructura de encargo en el substrato del GaAs para la microelectrónica, optoelectrónica y usos de la microonda del RF, en el diámetro Ø 3" a Ø 4". Con nuestra experiencia extensa del MOCVD, podemos crecer la aleación binaria (LT-GaAs, AlAs) o la aleación ternaria (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) en el substrato del GaAs, las estructuras del superretículo de la capa del singel o de la múltiple-capa con calidad cristalina superior para cubrir una variedad de necesidades del dispositivo. Nuestros expertos altamente expertos pueden trabajar con usted para diseñar y para optimizar su estructura de capa del epi del GaAs. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto o discuta su estructura de capa del epi.

El GaAs basó capacidad de la oblea de Epi

Nuestros reactores se configuran para una variedad de sistemas materiales y de condiciones de proceso. Podemos proporcionar la epitaxia de encargo para una variedad de aplicaciones para dispositivos que se extienden del LED a los HEMTs.
 

Capacidad material Substrato Tamaño de la oblea
GaAs/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
LT-GaAs/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
AlAs/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
InAs/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
AlGaAs/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
InGaAs/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
InGaP/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas
GaAsP/GaAs Oblea del GaAs Hasta 4 pulgadas

 

Usos optoelectrónicos:

Fotodetectores, VCSELs, diodos láser, LED, SOAs, guías de onda.

Usos electrónicos:

FETs, HBTs, HEMTs, diodos, dispositivos de la microonda.

 

 

Estructura de capa de Epi (HEMT/HBT)

 
Crecimiento MOCVD
Fuente del dopante El tipo de P/sea, el tipo/Si de N
Capa del casquillo Capa yo-GaAs
Capa activa capa de los n-AlGaAs
Capa del espacio capa de los i-AlGaAs
Capa del almacenador intermediario Capa yo-GaAs
Substrato /Ø 4" Ø 3" oblea del GaAs

 

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Detalle del producto
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Proveedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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