Oblea de InAs (arseniuro del indio)
Proporcionamos la oblea de InAs (arseniuro del indio) a la industria de la optoelectrónica en diámetro hasta 2 pulgadas. El cristal de InAs es un compuesto formado por 6N puro en y como elemento y es crecido por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) con EPD < 15000 cm -3. El cristal de InAs tiene alta uniformidad de parámetros eléctricos y de la densidad baja del defecto, conveniente para el crecimiento epitaxial del MBE o del MOCVD. Tenemos productos listos de InAs del “epi” con la opción amplia en exacto o de la orientación, concentración dopada baja o alta y el final superficial. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Oblea compuesta de III-V
Proporcionamos una amplia gama de oblea compuesta incluyendo la oblea del GaAs, la oblea de Gap, la oblea de GaSb, la oblea de InAs, y la oblea del INP.
Eléctrico y dopando la especificación
Especificación de producto
Crecimiento | LEC |
---|---|
Diámetro | /Ø 3" Ø 2" |
Grueso | 500 um ~ 625 um |
Orientación | <100>/<111>/<110> u otros |
De la orientación | De 2° a 10° |
Superficie | Un lado pulió o dos lados pulidos |
Opciones planas | EJ o SEMI. Estándar. |
TTV | <= 10 um |
EPD | <= 15000 cm2s |
Grado | Epi pulió el grado/el grado mecánico |
Paquete | Solo envase de la oblea |