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Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz
Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz
Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Uso :
Dispositivo de poder más elevado Dispositivo optoelectrónico de la epitaxia de GaN del dispositivo D
Diámetro :
/Ø 6"/Ø/Ø/Ø Ø 1" 2" 3" 4"
Grueso :
330 um ~ 350 um
Grado :
Grado de la producción/grado de la investigación
Descripción

 

 

Oblea de SIC

 

La oblea de semiconductor, inc. (SWI) proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en diámetro 2 pulgadas, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

Sic uso de la oblea

 

Dispositivo de alta frecuencia Dispositivo de alta temperatura
Dispositivo de poder más elevado Dispositivo optoelectrónico
Dispositivo de la epitaxia de GaN Diodo electroluminoso

 

Sic propiedades de la oblea

 
Polytype 6H-SiC 4H-SiC
Secuencia de amontonamiento cristalina ABCABC ABCB
Parámetro del enrejado a=3.073A, c=15.117A a=3.076A, c=10.053A
Banda-Gap eV 3,02 eV 3,27
Constante dieléctrica 9,66 9,6
Índice de la refracción n0 =2.707, ne =2.755 ne =2.777 de n0 =2.719

Especificación de producto

 
Polytype 4H / 6H
Diámetro /Ø 4"/Ø Ø 2" 3"
Grueso 330 um ~ 350 um
Orientación En eje <0001> /del eje <0001> de 4°
Conductividad N - tipo/semiaislante
Dopante N2 ()/V (vanadio) del nitrógeno
Resistencia (4H-N) 0,015 ~ 0,03 ohmio-cm
Resistencia (6H-N) 0,02 ~ 0,1 ohmio-cm
Resistencia (SI) > 1E5 ohmio-cm
Superficie El CMP pulió
TTV <>
Arco/deformación <>
Grado Grado de la producción/grado de la investigación

 

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Detalle del producto
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 pedazo
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
3 días laborables
Proveedor de contacto
Dispositivo optoelectrónico Wafer SiC para diodos emisores de luz

HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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