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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador
Especificaciones
Number modelo :
V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Lugar del origen :
China
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
500000PCS
Plazo de expedición :
2-15days
Detalles de empaquetado :
paquete estándar
Familia :
Productos semiconductores discretos-Rectificador
Categoría :
componentes electrónicos
Serie :
Rectificador Schottky de barrera MOS de trinchera TMBS
Número de parte bajo :
V20PWM45
Detalles :
Diodo Schottky 45 V 20A Montaje en superficie SlimDPAK
Tipo :
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Descripción :
DIODO SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Paquete :
DPak (2 cables + pestaña), TO263
Montaje del tipo :
Soporte superficial
Las existencias :
En stock
Descripción

V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Alta densidad de corriente TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador DPAK Productos de semiconductores discretos

V20PWM45:Rectificador de alta densidad de corriente de montaje en superficie TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra bajo VF = 0,35 V a IF = 5 A
V20PWM45CRectificador de alta densidad de corriente de montaje en superficie TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Ultra bajo VF = 0,39 V a IF = 5 A

APLICACIONES
Para uso en convertidores CC/CC de baja tensión y alta frecuencia,
diodos de rueda libre y aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS
• Perfil muy bajo - altura típica de 1,3 mm
• Tecnología de trinchera MOS Schottky
• Ideal para colocación automatizada
• Baja caída de tensión directa, bajas pérdidas de potencia
• Operación de alta eficiencia
• Cumple con el nivel 1 de MSL, según J-STD-020,
Pico máximo LF de 260 °C
• Cualificación AEC-Q101 disponible
- Código de pedido automotriz: base P/NHM3
• Categorización de materiales


Descripción
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.
Las características cionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Características :
Tecnología de proceso avanzada Resistencia de encendido ultrabaja Temperatura de funcionamiento de 175 °C Cambio rápido Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Especificaciones técnicas del producto

Categoría
Productos semiconductores discretos
　
Diodos - Rectificadores - Simples
Fabricante
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Serie
Automoción, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Estado de la pieza
Activo
Tipo de diodo
Schottky
Voltaje: CC inversa (Vr) (máx.)
45 V
Corriente - Media Rectificada (Io)
20A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
660 mV a 20 A
Velocidad
Recuperación Rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
Corriente - Fuga inversa @ Vr
700 µA a 45 V
Capacitancia @ Vr, F
3100pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
SlimDPAK
Temperatura de funcionamiento: unión
-40°C ~ 175°C
Número de producto básico
V20PWM45
número de parteV20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Número de parte baseV20PWM45C-M3/I
RoHS de la UECumple con la exención
ECCN (EE. UU.)EAR99
Estado de la piezaActivo
HTS8541.29.00.95


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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrera Schottky Rectificador

Más número de pieza para General Semiconductor:

número de parteMFGTipo de paquete
BYV26CSemiconductores VISHAYSOD-57
BYV26EGPSemiconductores VISHAYDO-15
BYV26E-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
BYV26EGPSemiconductores VISHAYDO-15
BYV26E-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
BYV26C-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
SI2309CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SI2301CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SI2307CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SF1600-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
SF1600-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
SI2333CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SI2303CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SI2304DDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SI2302CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SI2305CDS-T1-GE3Semiconductores VISHAYSOT-23
SBYV26CSemiconductores VISHAYDO-41
BZX55C24-TAPSemiconductores VISHAYDO-35
BYV27-200Semiconductores VISHAYSOD-57
BYV27-600-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
BYV27-600-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
BYV27-200-TAPSemiconductores VISHAYSOD-57
BYV28-200-TAPSemiconductores VISHAYSOD-64
SBYV26CSemiconductores VISHAYDO-41
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Detalle del producto
Number modelo :
V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Lugar del origen :
China
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
500000PCS
Plazo de expedición :
2-15days
Proveedor de contacto
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Años
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Productos principales :
Microprocesador PMIC, CI de circuitos integrados, Componentes electrónicos
Total anual :
80 millions-500 millions
Número de empleados :
20~200
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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