Especificaciones
Number modelo :
BSC010NE2LSI
Lugar del origen :
Malasia
MOQ :
1pieces
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
5000pcs
Plazo de expedición :
5 días laborables
Detalles de empaquetado :
Carrete
Uso :
Cargador integrado Placa base Notebook DC-DC VRD/VRM LED Control de motor
Detalles :
BSC010NE2LSI OptiMOS MOSFET de potencia de canal N de 25 V
Nombre de productos :
Circuitos integrados (IC)
Categoría :
componentes electrónicos
Familia de IC :
Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individuales
El otro nombre :
BSC010
Paquete :
TDSON8
Situación sin plomo :
RoHS obediente, PB libre, sin plomo
Descripción

MOSFET del poder del canal N de BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para el control de motor a bordo del cuaderno DC-DC VRD/VRM LED de Mainboard del cargador

 

Usos:

Cargador a bordo
Mainboard
Cuaderno
DC-DC
VRD/VRM
LED
Control de motor

Con la familia de producto de OptiMOS™ 25V, Infineon fija nuevos estándares en densidad de poder y rendimiento energético para los MOSFETs discretos del poder

y sistema en paquete. Carga ultrabaja de la puerta y de la salida, así como la resistencia más baja del en-estado en pequeños paquetes de la huella,

tome OptiMOS™ 25V la mejor decisión para los requisitos exigentes de las soluciones del regulador de voltaje en servidores, datacom y usos de las telecomunicaciones. Disponible en la configuración del halfbridge (etapa 5x6 del poder).

 

Ventajas:

 

Ahorre los costes de sistema total reduciendo el número de fases en convertidores polifásicos
Reduzca los apagones y aumente la eficacia para todas las condiciones de carga
Ahorre el espacio con los paquetes más pequeños como CanPAK™, S3O8 o sistema en la solución del paquete
Minimice la EMI en el sistema que hace redes externas del tambor de frenaje obsoletos y los productos fáciles a diseño-en.

 

 

MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

 

Especificaciones:

Categoría
Productos de semiconductor discretos
 
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 75µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
4000 PF @ 50 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-1
Paquete/caso
8-PowerTDFN
Número bajo del producto
BSC070
Parametrics BSC070N10NS3G
CISS 3000 PF
Coss 520 PF
Identificación (@25°C) máximo 90 A
IDpuls máximo 360 A
Minuto de la temperatura de funcionamiento máximo -55 °C del °C 150
Ptot máximo 114 W
Paquete SuperSO8 5x6
Polaridad N
QG (tipo @10V) 42 nC
RDS (encendido) (@10V) máximo mΩ 7
Rth 1,1 K/W
VDS máximo 100 V
Minuto de VGS (th) máximo 2,7 V 2 V 3,5 V

MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

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MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

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Number modelo :
BSC010NE2LSI
Lugar del origen :
Malasia
MOQ :
1pieces
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
5000pcs
Plazo de expedición :
5 días laborables
Proveedor de contacto
MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Años
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Total anual :
80 millions-500 millions
Número de empleados :
20~200
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación