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El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252
El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252
Especificaciones
Number modelo :
IPD075N03LG
Lugar del origen :
Original
MOQ :
1PCS
Condiciones de pago :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
57830pcs
Plazo de expedición :
3
Detalles de empaquetado :
4000
Común :
8000+
calidad: :
Inusitado a estrenar
Paquete/caja: :
TO-252
Descripción

ISO9001.pdf (en inglés)

IPD075N03LG es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son las aplicaciones, conclusiones y parámetros de este transistor:
Aplicación:
Interruptor de alimentación y convertidor CC-CC
Conducción de vehículos
Equipo electrónico para automóviles
Sistema de control de la automatización industrial
Conclusión:
Transistores MOSFET de canal N eficientes
Baja resistencia a la conducción y corriente de fuga
Capacidad de trabajo a altas temperaturas
Corriente de fuga inversa baja
Parámetros:
VDS (tensión máxima de la fuente de descarga): 30 V
ID (corriente de escape máxima): 75 A
Se aplicará el método siguiente:
Qg (carga total de la puerta): 180 nC
VGS (tensión máxima de la fuente de la puerta): ± 20 V
Ciss (capacidad de entrada): 3550 pF
Coss (capacidad de salida): 1120 pF
La capacidad de retroalimentación (Crss): 180 pF
Tj (temperatura de unión): -55 a 175 °C
Paquete: TO-252-3

Especificaciones técnicas del producto
La RoHS de la UE Conforme a la exención
El precio de venta de la mercancía El EAR99
Estado de las partes Actividad
El HTS 8541.29.00.95
SVHC - ¿ Qué?
El SVHC excede el umbral - ¿ Qué?
Automóvil - No, no lo sé.
PPAP - No, no lo sé.
Categoría de productos MOSFET de potencia
Configuración No casado
Tecnología de procesos OptiMOS
Modo de canal Mejoramiento
Tipo de canal No
Número de elementos por chip 1
Voltado máximo de la fuente de drenaje (V) 30
Voltado máximo de la fuente de la puerta (V) ± 20
Ventilación de puerto de entrada (V) 2.2
Corriente máxima de drenaje continuo (A) 50
Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm) 7.5@10V
Carga típica de la puerta @ Vgs (nC) 8.7@4.5V18 @10V
Carga típica de la puerta @ 10V (nC) 18
Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) Las emisiones de gases de efecto invernadero
Disposición máxima de potencia (mW) 47000
Tiempo de caída típico (ns) 2.8
Tiempo de aumento típico (ns) 3.6
Tiempo de retraso típico de apagado (ns) 17
Tiempo (s) de retraso típico de encendido 4.3
Temperatura mínima de funcionamiento (°C) - 55 años
Temperatura máxima de funcionamiento (°C) 175
Embalaje Cintas y bobinas
El montaje Montura de la superficie
Altura del paquete 2.3
Ancho del paquete 6.22
Duración del paquete 6.5
PCB cambiado 2
- ¿ Qué? - ¿ Qué?
Nombre estándar del paquete TO-252
Paquete para proveedores DPAK
Número de pines 3
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El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252

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Detalle del producto
Number modelo :
IPD075N03LG
Lugar del origen :
Original
MOQ :
1PCS
Condiciones de pago :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
57830pcs
Plazo de expedición :
3
Proveedor de contacto
El video
El transistor IPD075N03LG de canal N Mosfet TO-252

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Site Member
4 Años
shenzhen
Desde 2016
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
circuito integrado del ic, Circuito integrado de SMD, Circuitos integrados de Digitaces
Total anual :
6000000-1200000
Número de empleados :
100~200
Nivel de certificación :
Site Member
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