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Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252
Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252
Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252
Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252
Especificaciones
Number modelo :
IPD80R1K4P7
Lugar del origen :
Original
MOQ :
1PCS
Condiciones de pago :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
37830pcs
Plazo de expedición :
3
Detalles de empaquetado :
4000
Común :
8000+
calidad: :
Inusitado a estrenar
Paquete/caja: :
TO-252
Descripción

ISO9001.pdf

Uso:
IPD80R1K4P7 es un transistor del MOSFET del canal N de uso general en los convertidores de gran eficacia de DC-DC y los usos de la fuente de alimentación. Puede actuar en la baja tensión y tiene resistencia baja y alta velocidad que cambia, haciéndola muy conveniente para el uso en usos de la baja tensión.
Conclusión:
IPD80R1K4P7 tiene las siguientes características:
Pérdidas bajas mismas de la transferencia y de la conducción;
Límite de alto voltaje, capaz del funcionamiento en el alto voltaje;
La alta velocidad que cambia permite los convertidores eficientes de DC-DC;
Estabilidad da alta temperatura, capaz del trabajo en ambientes des alta temperatura.
Parámetros:
Los parámetros dominantes de IPD80R1K4P7 son como sigue:
Corriente clasificada: 80A;
Voltaje clasificado: 40V;
Voltaje de fuente de alimentación máximo del dren: 55V;
Resistencia estática: el 1.4m Ω;
Capacitancia típica: 2000pF;
Gama de temperaturas de trabajo: -55 ° C DEL ° C~+175;
Tipo de empaquetado: TO-252 (DPAK).

Especificaciones técnicas del producto
UE RoHS Obediente con el 聽 de la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Sin confirmar
HTS 8541.29.00.95
SVHC Sí
SVHC excede el umbral Sí
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Configuración Solo
Tecnología de proceso CoolMOS P7
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 800
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) 20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 3,5
Dren continuo máximo (a) actual 4
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 1000
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) 1400@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 10@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 10
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 250@500V
Disipación de poder máxima (mW) 32000
Tiempo de caída típico (ns) 20
Tiempo de subida típico (ns) 8
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 40
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 10
Temperatura de funcionamiento mínima (掳 C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (掳 C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 2,41 (máximo)
Anchura del paquete 6,22 (máximo)
Longitud del paquete 6,73 (máximo)
El PWB cambió 2
Etiqueta Etiqueta
Paquete del proveedor DPAK
Pin Count 3
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Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252

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Detalle del producto
Number modelo :
IPD80R1K4P7
Lugar del origen :
Original
MOQ :
1PCS
Condiciones de pago :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
37830pcs
Plazo de expedición :
3
Proveedor de contacto
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Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252
Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
4 Años
shenzhen
Desde 2016
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
circuito integrado del ic, Circuito integrado de SMD, Circuitos integrados de Digitaces
Total anual :
6000000-1200000
Número de empleados :
100~200
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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