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139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Pruebas no destructivas
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139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Pruebas no destructivas
139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Pruebas no destructivas
Especificaciones
Número de modelo :
H3543HWF-AG
Lugar de origen :
China.
Cantidad mínima de pedido :
1
Detalles del embalaje :
Paquete de cartón estándar de exportación
El material :
sensor de silicio amorfo
Temperatura :
10-35°C (funcionamiento); 10~50°C (almacenamiento)
humedad :
RH de 30 a 70% (sin condensación)
Nombre del producto :
Detector digital de panel plano
Tipo de receptor :
Uno-Si
centelleador :
SMO
Área activa :
Cubiertas y cubiertas
Pitch de los píxeles :
el 139μm
Resolución :
2560 x 3072
Descripción

139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Y Pruebas no destructivas

 

H3543HWF-AG Es un detector plano inalámbrico portátil basado en un sensor de superficie de silicio amorfo, adecuado para la inspección de tuberías, inspección industrial, ensayos no destructivos y otros campos

 

Sensor de la misma
Receptor tipo a-Si

Las condiciones de producción de los productos incluidos en el anexo II son las siguientes:

Área activa 350 x 430 mm

Resolución 2560 x 3072

Pitch de los píxeles 139 μm

Suministro de energía y batería

Adaptador en AC 100-240V,50-60Hz

Adaptador de salida DC 24V,2.7A

Disposición de energía < 20 W

Tiempo de funcionamiento de la batería 6,5 h

Tiempo de carga 4,5 h

 

Calidad de imagen
Resolución límite 3,5 LP/mm

Rango de energía 40-350 KV

Rango dinámico ≥ 84 dB

Sensibilidad ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1er cuadro

DQE 42% @(1 LP/mm)

28% @ ((2 LP/mm)

El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

38% @ ((2 LP/mm)

20% @ ((3 LP/mm)

 

Aparatos eléctricos y interfaz
Conversión A/D 16 bits

Interfaz de datos Gigabit Ethernet/802.11ac 5G

Adquirir tiempo cableado: 1s; inalámbrico: 2s

Software de control de la exposición/fuera

Memoria incorporada 4 GB DDR4, tarjeta SD de 8 GB

 

Mecánica
Dimensión 583x437x21,8 mm
Peso 4,5 kg

Materiales aleaciones de aluminio y magnesio

Panel delantero de fibra de carbono

 

Medio ambiente

Temperatura 10-35°C (funcionamiento); 10~50°C (almacenamiento)

Humedad 30-70% RH (sin condensación)

Protección de entrada IP54

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139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Pruebas no destructivas

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Detalle del producto
Número de modelo :
H3543HWF-AG
Lugar de origen :
China.
Cantidad mínima de pedido :
1
Detalles del embalaje :
Paquete de cartón estándar de exportación
El material :
sensor de silicio amorfo
Temperatura :
10-35°C (funcionamiento); 10~50°C (almacenamiento)
Proveedor de contacto
139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Pruebas no destructivas
139 Micrones Silicio amorfo A-Si Curvado A-Si DR Pruebas no destructivas

HUATEC GROUP CORPORATION

Verified Supplier
17 Años
beijing, beijing
Desde 2010
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter
Productos principales :
Detector de defectos por ultrasonidos, Medidor de espesor por ultrasonidos, Medidor de espesor de recubrimiento
Total anual :
600-1000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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