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Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada
Especificaciones
Detalles del embalaje :
Embalaje de cajas de madera
Capacidad de suministro :
30 pieza/s por trimestre
Cantidad mínima de pedido :
1 juego
Tiempo de entrega :
60 días
Condiciones de pago :
Las condiciones de los productos
Lugar de origen :
Hunan, China
El tipo :
horno de inducción
Utilización :
horno de deposición
Inspección de salida por vídeo :
Proveedor
Informe de ensayo de la máquina :
Proveedor
Componentes básicos :
PLC
Válvula de tensión :
380
Peso (T) :
2 T
Potencia en kW :
220
Puntos de venta clave :
Precio competitivo
Temperatura de diseño (°C) :
1250 a 2200
Temperatura preocupante :
900-1200 °C
Velocidad de aumento de la presión (Pa/h) :
0.67Pa/h ((150Pa/24h)
Método de calentamiento :
resistencia/inducción
Atmósfera de trabajo :
el vacío/CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Tipo de horno :
Cuadrado/redondoVertical/horizontal
Modo de enfriamiento del horno :
refrigeración por agua de la cáscara del horno
Instrumento de infrarrojos :
Colorimetría simple/doble
Uniformidad de la temperatura :
± 5
El límite de vacío Grado ((Pa) :
1-100
Tipo de comercialización :
Producto ordinario
Garantía de los componentes centrales :
1 año
Industrias aplicables :
Los demás, semiconductores
Descripción
Especificación:
Horno de deposición al vacío:
Se utiliza principalmente para la preparación de materiales compuestos carbono-carbono y el horno de deposición se utiliza principalmente para la preparación de recubrimiento pirolítico de carbono en la superficie del grafito,Dispositivos semiconductores y materiales de limpieza resistentes al calor.
Parámetro / Número de modelo
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Tamaño de la zona de trabajo
Frm × H (mm)
300 × 500
500 × 500
600 × 800
600×1200
800×1200
1100 × 2000
1200×1800
1500 × 2000
Temperatura más alta
(°C)
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
2300
Uniformidad de la temperatura ((°C)
± 5
± 5
Se aplican las siguientes medidas:5
± 7,5/± 10
± 7,5/± 10
Se aplicarán las siguientes medidas:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Grado de vacío límite ((Pa)
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
1 a 100
Grado de vacío límite ((Pa)
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
Método de calentamiento
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Resistencia/inducción
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada
Temperatura de diseño
Las condiciones de ensayo de las sustancias químicas incluidas en el anexo I se determinarán en función de las condiciones de ensayo.
Temperatura común
900~1200°C
Grado de vacío
El contenido de nitrógeno en el combustible
Tasa de aumento de la presión
6.67pA /h ((o 150Pa/24h) en estado frío de horno vacío
Modo de calentamiento
Calentamiento por resistencia al grafito o calentamiento por inducción, control de temperatura independiente, buena uniformidad de temperatura
Medio atmosférico
en el vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada
Modo de control del gas
control del caudal de masa, vía de gas multicanal, campo de flujo uniforme, sin ángulo muerto de deposición, buen efecto de deposición;sistema de tratamiento de gases de escape de múltiples etapas y eficiente, respetuoso con el medio ambiente,fácil de limpiar
Tipo de horno
estructura cuadrada, redonda, vertical u horizontal (diseño no estándar), cámara de deposición totalmente cerrada, buen efecto de sellado,
una gran capacidad de lucha contra la contaminación;
Modo de enfriamiento del horno
sistema de enfriamiento rápido de circulación externa, tiempo de enfriamiento corto, alta producción
la eficiencia;
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada
Forma de la estructura
Descarga horizontal - lateral, vertical - hacia arriba y hacia abajo
Modo de bloqueo
Manual o automático
Material de las cáscaras
Acero inoxidable interior/todo el acero inoxidable
Material aislante
Fieltro de carbono/fieltro de grafito/fieltro curado de fibra de carbono
Instrumento de infrarrojos
colorimetría única/colorimetría doble
Fuente de alimentación
KGPS/IGBT ((sólo adecuado para calefacción de media frecuencia)
Parámetro del producto:
 
 
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Detalle del producto
Detalles del embalaje :
Embalaje de cajas de madera
Capacidad de suministro :
30 pieza/s por trimestre
Cantidad mínima de pedido :
1 juego
Tiempo de entrega :
60 días
Condiciones de pago :
Las condiciones de los productos
Lugar de origen :
Hunan, China
Proveedor de contacto
Equipo de deposición de hornos CVD para la preparación de material semiconductor de película delgada

Hunan Jingtan Automation Equipment Co., LTD.

Active Member
1 Años
hunan, zhuzhou
Desde 2021
Productos principales :
horno de grafitización, Fuego de sinterización, Horno continuo
Total anual :
2million -5million
Número de empleados :
40~60
Nivel de certificación :
Active Member
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