Los materiales cerámicos de nitruro de silicio de alto rendimiento desarrollados para la industria del aluminio han mejorado significativamente las propiedades térmicas y mecánicas en comparación con productos similares. Sobre esta base, el "aparato de calentamiento sumergido de alta conductividad térmica en forma de L" traerá un progreso revolucionario al equipo industrial del aluminio.
La resistencia a altas temperaturas de la cerámica de nitruro de silicio es muy buena, lo que asegura que el tubo sellado aún se pueda usar durante mucho tiempo en condiciones de funcionamiento frecuentes.En vista de la fragilidad de la cerámica de nitruro de silicio, se deben evitar los grandes golpes mecánicos, por lo que se debe prestar atención al diseño y la instalación del dispositivo de transmisión de elevación.
Ventaja:
La alta densidad, la alta resistencia y la alta resistencia al choque térmico de la cerámica de nitruro de silicio determinan que es la mejor opción para los tubos de sellado en la fundición a presión de baja presión.
En comparación con el titanato de aluminio y la cerámica de alúmina, el nitruro de silicio tiene una resistencia al desgaste superior, lo que puede garantizar la estanqueidad del tubo sellado durante mucho tiempo;
Datos relacionados con el nitruro de silicio
Componente principal | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Físico Propiedad |
Densidad | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Absorción de agua | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
Temperatura de sinterización | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mecánico Propiedad |
Dureza Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Resistencia a la flexión | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensidad de compresión | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Térmico Propiedad |
Máximo de trabajo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
Expansión térmica coeficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6(0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6(0-500°C) | |
5.2*10-6(500-1000°C) | 4.0*10-6(500-1000°C) | |||||
Resistencia al choque térmico | T(°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conductividad térmica | W/m.k(25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Eléctrico Propiedad |
Tasa de resistencia de volumen | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | >1011 | ||||
300°C | >1012 | >1011 | ||||
Intensidad de ruptura del aislamiento KV/mm |
18 | semiconductor | 9 | 17.7 | Constante dieléctrica (1 MHz) | |
(E) | 10 | – | 7 | Disipación dieléctrica | ||
(tg o) | 0.4*10-3 | – |