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Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble
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Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble
Especificaciones
Número de modelo :
Si-8 pulgadas
Lugar del origen :
China
MOQ :
25pcs
Plazo de expedición :
5-30days
Detalles de empaquetado :
casstle 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados
El material :
Si de cristal único
Industria :
Wafer de semiconductores IC, solor, vidrio óptico
Aplicación :
IC, oblea solar, lente óptica,
El tamaño :
el diámetro de 200 mm
Método :
CZ,Fz
Tipo de producto :
Se aplicará el método siguiente:
Grado :
Grado de primer grado/grado de prueba
Descripción

Descripción del producto

Wafer de silicio de 8 pulgadas Diámetro 200 mm espesor 700um P Tipo N Tipo de pulido único Polido doble

Las obleas de silicio generalmente se cortan a partir de varillas de silicio monocristalino de alta pureza.y luego cortar y pulir para hacer obleas de silicioLos diámetros comunes de las obleas de silicio incluyen 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas, etc. El grosor de las obleas generalmente está entre 0,5 y 0,7 mm.Las obleas de silicio pueden ser dopadas con diferentes elementos de impurezas (ePor ejemplo, el fósforo, el boro) para ajustar sus propiedades eléctricas para crear materiales de silicio de tipo n o p.Esto es importante para la fabricación de diversos circuitos integrados y dispositivos semiconductoresLa superficie de las obleas de silicio debe ser pulida, limpiada y otros tratamientos para eliminar los defectos de la superficie y la contaminación y garantizar que la superficie de la obleas sea plana y lisa.

Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm <111> espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble

Características

1.Estructura de cristal:El silicio es un semiconductor elemental típico con una estructura cristalina de diamante regular y una disposición ordenada de átomos, lo que proporciona una buena base para sus propiedades electrónicas.
2.Características electrónicas:El ancho de banda del silicio es de aproximadamente 1.12 eV, que está entre el aislante y el conductor, y puede generar y recombinar pares de electrones-agujeros bajo la acción de un campo eléctrico externo,con un contenido de aluminio superior a 10%,.
3.El dopaje:El silicio puede ajustarse incorporando elementos de impurezas del grupo III (por ejemplo, B) o V (por ejemplo, P, As) para ajustar su tipo de conductividad y resistividad,que permite la fabricación de diversos dispositivos semiconductores.
4.Oxidabilidad:El silicio puede reaccionar químicamente con el oxígeno a altas temperaturas para formar una película densa y uniforme de dióxido de silicio (SiO2), que sienta las bases para los procesos de circuitos integrados basados en silicio.
5.Propiedades mecánicas:El silicio tiene una alta dureza, resistencia y estabilidad química, lo que favorece el corte, pulido y otros procesos de procesamiento posteriores.
6.Tamaño y tamaño:Las obleas se pueden preparar en discos de entre 2 pulgadas y 12 pulgadas de diámetro para satisfacer las necesidades de diferentes procesos.

Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm <111> espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble

Parámetros técnicos

Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm <111> espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble

Aplicaciones

1.Circuitos integrados:Las obleas de silicio son los portadores principales para la fabricación de varios circuitos integrados digitales (como CPU, memorias) y circuitos integrados analógicos (como amplificadores y sensores operativos).
2.Celdas solares:Las obleas de silicio se fabrican en módulos de células solares, que se utilizan ampliamente en la generación de energía fotovoltaica distribuida y el suministro de energía.
3.Sistemas microelectromecánicos (MEMS):Los dispositivos MEMS como microactuadores y sensores se fabrican utilizando las propiedades mecánicas y las técnicas de microfabricación de los materiales de silicio.
3.Electrónica de potencia:Fabricar una amplia gama de dispositivos de semiconductores de potencia utilizando una tolerancia a altas temperaturas y una alta capacidad de carga de potencia a base de silicio.
4.Los sensores:Los sensores basados en silicio se utilizan ampliamente en equipos electrónicos, control industrial, electrónica automotriz y otros campos, como sensores de presión, sensores de aceleración, etc.

Wafer de silicio de 8 pulgadas de diámetro 200 mm <111> espesor 700um P tipo N tipo de pulido único pulido doble

Nuestros servicios

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes

1.P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: (1) Para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 3 semanas después de realizar el pedido.
(2) Para los productos de forma especial, la entrega es de 4 semanas laborables después de realizar el pedido.

2.P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticos
basado en sus necesidades.

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Detalle del producto
Número de modelo :
Si-8 pulgadas
Lugar del origen :
China
MOQ :
25pcs
Plazo de expedición :
5-30days
Detalles de empaquetado :
casstle 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados
El material :
Si de cristal único
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
Oblea del nitruro del galio, Oblea del zafiro, Sic substrato
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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