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GaSb
GaSb
Especificaciones
Número de modelo :
Oblea de Gap
Lugar del origen :
China
MOQ :
5pcs
Capacidad de la fuente :
1000pcs/month
Plazo de expedición :
1-4weeks
Detalles de empaquetado :
sola caja de la oblea
Materiales :
Solo cristal de Gap
industria :
substratos del semiconductor, dispositivo, óptico
Color :
Amarillo
Diámetro :
0.5~76.5m m
Superficie :
pulido/traslapó
Grueso :
0,1-2 mm
Descripción

cristales substrato cristalino, oblea del fosfuro del galio de 2-6 pulgadas (Gap) de Gap

La poder de ZMKJ proporciona la oblea de alta calidad de Gap del solo cristal (fosfuro del galio) a la industria electrónica y optoelectrónica en diámetro hasta 2 pulgadas. El cristal del fosfuro del galio (Gap) es un material semitranslúcido naranja-amarillo formado por dos elementos, galios y fosfuros, crecimiento por el método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). La oblea de Gap es un material importante del semiconductor que tienen propiedades eléctricas únicas pues otros materiales del compuesto de III-V y son ampliamente utilizados como LED rojo, amarillo, y verde (diodos electroluminosos). Tenemos oblea de Gap del solo cristal del como-corte para su uso de LPE, y también proporcionamos la oblea lista de Gap del grado del epi para su uso epitaxial del MOCVD y del MBE. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

Eléctrico y dopando la especificación

Nombre de producto: Substrato cristalino del fosfuro del galio (Gap)

Parámetros técnicos:
Estructura cristalina Cúbico a = 5,4505 Å
Método del crecimiento Método de Czochralski
Densidad 4,13 g/cm 3
P.M. o 1480 C 1
Coeficiente de la extensión termal 5,3 x10 -6/O C
Dopante sin impurificar S-dopada
Dirección <111> u <100> <100> o <111>
Tipo N N
Conductividad termal 2 ~ 8 x10 17/cm 3 4 ~ 6 x10 16/cm 3
Resistencia W.cm 0,03 a 0,3
EPD (cm -2) <3x10>5 <3x10>5
Especificaciones:

Direcciones cristalográficas: <111>, <100> ± 0,5 o

Tamaño pulido estándar: Ø2 “* 0.35m m; Ø2” * 0.43m m. Ø3 " x0.3mm
Nota: según requisitos de cliente con dimensiones especiales y substratos de la orientación
StandardPacking bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

Dopante disponible S / Zn/Cr/sin impurificar
Tipo de conductividad N / P, semiconductor/semiaislante
Concentración 1E17 - 2E18 cm-3
Movilidad > 100 cm2s/v.s.

Especificación de producto

Crecimiento LEC
Diámetro Ø 2"
Grueso 400 um
Orientación <100> / <111> / <110> u otros
De la orientación De 2° a 10°
Superficie Un lado pulido o dos lados pulidos
Opciones planas EJ o SEMI. Estándar.
TTV <>
EPD <>
Grado Epi pulió el grado/el grado mecánico
Paquete Solo envase de la oblea

Imágenes de la muestra

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FAQ:

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

A: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.

(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.

Q: ¿Cuál es su MOQ?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs.

(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10-20pcs para arriba.

también podemos proporcionar la otra oblea de semiconductor de los materiales como como abajo

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Detalle del producto
Número de modelo :
Oblea de Gap
Lugar del origen :
China
MOQ :
5pcs
Capacidad de la fuente :
1000pcs/month
Plazo de expedición :
1-4weeks
Detalles de empaquetado :
sola caja de la oblea
Proveedor de contacto
GaSb

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
Oblea del nitruro del galio, Oblea del zafiro, Sic substrato
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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