Especificaciones
Number modelo :
n3
Lugar del origen :
China
RAM :
8GB DDR3 1600
Voltaje :
1,35 voltios
Estado latente :
CL11
Tipo del ECC Inseparado :
NO-ECC
Prueba :
El 100% probado
pernos :
Pin 204
MOQ :
100pc
Descripción

Memoria del ordenador portátil del cuaderno de Faspeed N3 8GB DDR3 RAM 1600MHz

 

  • Del fabricante
    Mejora de la firma DDR3 SODIMM para Ultrabooks
    Firma DDR3 Ultrabook SODIMM de la memoria del patriota
    El aumento perfecto del funcionamiento al ecosistema de Ultrabook. Visión más grande

    Firma DDR3 Ultrabook SODIMM de la memoria del patriota
    la memoria faspeed para los módulos de Ultrabook SODIMM es la perfecta, mejora del ninguno-molestia para cualquier cuaderno de la Ultrabook-clase. Compatible con los procesadores móviles y el funcionamiento de la 3ra generación de Intel en apenas 1,35 voltios, estos módulos de SODIMM se optimizan para el consumo de energía ultrabajo que proporciona funcionamiento extremadamente eficiente.

    Diseñado especialmente para Ultrabooks
    Proporcionando la plataforma más dinámica y más potente de la computación móvil, el Ultrabook entrega los niveles más altos de movilidad, de funcionamiento, y de entretenimiento. El Ultrabook está redefiniendo verdad la experiencia de la computación móvil. Con esto en mente, la memoria faspeed para los módulos de Ultrabook SODIMM fue diseñada para ofrecer el aumento perfecto del funcionamiento al ecosistema de Ultrabook.

    Firma DDR3 Ultrabook SODIMM de la memoria del patriota
    Construido de los componentes más de alta calidad. Visión más grande
    Poder ultrabajo
    Corriendo en apenas 1,35 voltios, la memoria para los módulos de Ultrabook SODIMM se optimiza para entregar funcionamiento económico de energía. Con el uso de los chips de memoria ultrabajos del poder (ULP), estos módulos entregan temperaturas de funcionamiento más bajas para asegurarse que los componentes circundantes corren óptimo. Los módulos son al revés compatibles con los estándares de 1,5 voltios para una compatibilidad más amplia.

    Estructura fija de alta calidad de materiales
    la memoria faspeed para los módulos de Ultrabook SODIMM se construye de los componentes más de alta calidad y de los consumidores de ofrecimiento probados mano funcionamiento listo para el uso completamente sólido para las aplicaciones móviles más exigentes. Estos equipos también son apoyados por la atención al cliente premiada de la memoria del patriota.

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Pin de RAM Laptop 204 del cuaderno de CL11 N3 8GB DDR3 1600MHz

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Number modelo :
n3
Lugar del origen :
China
RAM :
8GB DDR3 1600
Voltaje :
1,35 voltios
Estado latente :
CL11
Tipo del ECC Inseparado :
NO-ECC
Proveedor de contacto
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Pin de RAM Laptop 204 del cuaderno de CL11 N3 8GB DDR3 1600MHz

HONG KONG HUATOOP TECHNOLOGY LIMITED

Active Member
5 Años
shenzhen
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Seller
Productos principales :
, ,
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación