Especificaciones
Number modelo :
3LP01SS-TL-H
MOQ :
>=1pcs
Capacidad de la fuente :
100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Plazo de expedición :
2-3Days
Detalles de empaquetado :
BORRACHÍN
Lugar del origen :
China
Descripción :
MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
Montaje del tipo :
Soporte superficial
Temperatura de funcionamiento :
150°C
Paquete/caso :
BORRACHÍN
Voltaje - fuente :
30 voltios
Potencia - Máx. :
150 mW (Ta)
Impedancia (máxima) (Zzt) :
0.4Ohm
Número bajo del producto :
3LP01
Situación del producto :
Activo
Descripción

Soporte discreto SMCP de la superficie 150mW (TA) del P-canal 30 V 100mA (TA) de los productos de semiconductor 3LP01SS-TL-H

 

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

 

El número de parte 3LP01SS-TL-H es fabricado por onsemi y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

 

Para más información sobre 3LP01SS-TL-H detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad 3LP01SS-TL-H a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

 

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N 2 (dual)
Característica del FET
Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo

Soporte superficial

Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

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Number modelo :
3LP01SS-TL-H
MOQ :
>=1pcs
Capacidad de la fuente :
100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Plazo de expedición :
2-3Days
Detalles de empaquetado :
BORRACHÍN
Lugar del origen :
China
Proveedor de contacto
Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P
Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P
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Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
4 Años
hong kong
Desde 2010
Tipo de empresa :
Exporter, Trading Company, Seller
Total anual :
1000000-9990000
Número de empleados :
20~100
Nivel de certificación :
Active Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación