Tipo de producto :
Transistores de alta frecuencia, transistores IGBT
Temperatura de funcionamiento :
Estándar
Tipo de montaje :
/, Soporte superficial
Número de modelo :
No incluye los productos de la categoría M2
Tipo de paquete :
Montura de la superficie
Aplicación :
De alta frecuencia
Tipo de proveedor :
Agencia, minorista
Referencia recíproca :
Estándar
Medios disponible :
Ficha técnica
Marca del producto :
Transistores de potencia de RF
Actual - colector (Ic) (máximo) :
Estándar
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :
Estándar
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :
Estándar
Actual - atajo del colector (máximo) :
Estándar
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :
Estándar
Poder - máximo :
Estándar
Frecuencia - transición :
Estándar
Envase / estuche :
Estándar
Resistor - base (R1) :
Estándar
Resistor - base del emisor (R2) :
Estándar
Característica del FET :
Diodo de Schottky (aislado)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :
Estándar
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :
Estándar
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :
Estándar
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :
Estándar
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
Estándar
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :
Estándar
Grado actual (amperios) :
Estándar
Figura de ruido :
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Poder - salida :
Estándar
Voltaje - clasificado :
Estándar
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :
Estándar
Configuración :
medio puente
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :
Estándar
Termistor de NTC :
Estándar
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :
Estándar
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
Estándar
Dren actual (identificación) - máxima :
Estándar
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :
Estándar
Resistencia - RDS (encendido) :
Estándar
Válvula de tensión :
Estándar
Voltaje - salida :
Estándar
Voltaje - compensación (Vt) :
Estándar
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :
Estándar
Actual - valle (iv) :
Estándar
Tipo del transistor :
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
condición :
original y nuevo MRF6S21100
Detalles del embalaje :
Transistor de potencia de RF de microondas HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100
Capacidad de suministro :
10000 pedazos/pedazos por Semana