Tipo de producto :
NA, transistor de efecto de campo, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento :
NA
Tipo de montaje :
Estándar
Número de modelo :
Los Estados miembros
Lugar de origen :
Guangdong, China
Tipo de paquete :
En el agujero
Tipo de proveedor :
Minorista
Referencia recíproca :
NA
Medios disponible :
Las demás
Actual - colector (Ic) (máximo) :
NA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :
NA
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :
NA
Actual - atajo del colector (máximo) :
NA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :
NA
Frecuencia - transición :
NA
Resistor - base (R1) :
NA
Resistor - base del emisor (R2) :
NA
Característica del FET :
Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :
NA
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :
NA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :
NA
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :
NA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
NA
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :
NA
Grado actual (amperios) :
NA
Voltaje - clasificado :
NA
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :
NA
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
NA
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :
NA
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :
NA
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
NA
Dren actual (identificación) - máxima :
NA
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :
NA
Resistencia - RDS (encendido) :
NA
Voltaje - compensación (Vt) :
NA
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :
NA
Tipo del transistor :
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Detalles del embalaje :
Empaquetado antiestático
Puerto :
el pueblo de Shenzhen
Capacidad de suministro :
1000 pedazos/pedazos por Semana
Cantidad mínima de pedido :
10 piezas