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RJP63K2 Circuito integrado de plasma tubo de efecto de campo comúnmente utilizado TO-263 nuevos componentes electrónicos
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Especificaciones
Tipo de producto :
MOSFET, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie :
BT2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B
Tipo de montaje :
/, Soporte superficial
Descripción :
/
Número de modelo :
rjp63k2
Lugar de origen :
angola
D/C :
20+
Tipo de paquete :
Montura de la superficie
Aplicación :
-
Tipo de proveedor :
Las demás
Referencia recíproca :
Estándar
Medios disponible :
Las demás
Marca del producto :
MOS
Actual - colector (Ic) (máximo) :
-
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :
-
Actual - atajo del colector (máximo) :
-
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :
-
Poder - máximo :
-
Frecuencia - transición :
-
Envase / estuche :
/
Resistor - base (R1) :
-
Resistor - base del emisor (R2) :
-
Tipo del FET :
-
Característica del FET :
Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :
-
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :
-
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :
-
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :
-
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :
-
Frecuencia :
-
Grado actual (amperios) :
-
Figura de ruido :
-
Poder - salida :
-
Voltaje - clasificado :
-
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Vgs (máximo) :
-
Tipo de IGBT :
-
Configuración :
No casado
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
-
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :
-
Ingreso :
-
Termistor de NTC :
-
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
-
Dren actual (identificación) - máxima :
-
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :
-
Resistencia - RDS (encendido) :
-
Válvula de tensión :
-
Voltaje - salida :
-
Voltaje - compensación (Vt) :
-
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :
-
Actual - valle (iv) :
-
Actual - pico :
-
Aplicaciones :
-
Tipo del transistor :
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Envasado :
Caja de cartón de carrete
Detalles del embalaje :
ESD/Vacuum/Foam/Cartons
Puerto :
el pueblo de Shenzhen
Capacidad de suministro :
88888 pieza/piezas por mes
Cantidad mínima de pedido :
50 piezas
Descripción

La Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones de la Comisión.

Bienvenido a nuestra empresa! Somos su fuente de componentes electrónicos todo en uno. Nuestra experiencia radica en proporcionar una amplia variedad de componentes electrónicos para satisfacer sus diversos requisitos.Nosotros ofrecemos:- Semiconductores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados - Componentes pasivos: resistencias, condensadores, inductores, conectores - Componentes electromecánicos: interruptores,los relés, actuadores de sensores - Fuentes de alimentación: reguladores de voltaje, convertidores de potencia, gestión de baterías - Optoelectrónica: LEDs, láseres, fotodiodos, sensores ópticos - RF y componentes inalámbricos: módulos RF,- las antenas, las comunicaciones inalámbricas - los sensores: sensores de temperatura, sensores de movimiento, sensores ambientales.
RJP63K2 Circuito integrado de plasma tubo de efecto de campo comúnmente utilizado TO-263 nuevos componentes electrónicos

Tipo: circuitos integrados Componentes electrónicos
DC22 más
MOQ: 1 pieza
Paquete: estándar
La gama de chips funcionales es amplia y cubre muchas áreas de aplicación diferentes, como comunicaciones, procesamiento de imágenes, control de sensores, procesamiento de audio, gestión de energía y más.
El tipo de fichas que tenemos



Circuitos integrados
IC de comparación
Encóder-Decodificador
Interfaces táctiles
IC de referencia de voltaje
Amplificador
Reinicie el IC del detector
IC del amplificador de potencia
IC de procesamiento de infrarrojos
Chip de interfaz
Chip de Bluetooth
Boost y Buck Chips
Chips de base de tiempo
Chips de comunicación del reloj
IC del transceptor
IC RF inalámbrico
Resistente de chip
Chip de almacenamiento 2
Chip de Ethernet
Circuitos integrados
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Detalle del producto
Tipo de producto :
MOSFET, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie :
BT2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B
Tipo de montaje :
/, Soporte superficial
Descripción :
/
Número de modelo :
rjp63k2
Proveedor de contacto
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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2015
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Productos principales :
Astec Power Supply, Componentes electrónicos ICs, ST ICS
Total anual :
1000000-80000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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