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El micrón ISSI Samsung Ic de MT40A1G16KD-062E integró el microprocesador VFBGA-63
El micrón ISSI Samsung Ic de MT40A1G16KD-062E integró el microprocesador VFBGA-63
Especificaciones
Number modelo :
MT40A1G16KD-062E
Lugar del origen :
LOS E.E.U.U.
MOQ :
1
Condiciones de pago :
D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000PCS POR SEMANA
Detalles de empaquetado :
STANDRAD
Categoría de producto :
Micrón
Serie :
MT40A1G16KD-062E
Montaje de estilo :
SMD/SMT
Paquete/caso :
TQFP-64
Base :
AVR
Tamaño de la memoria del programa :
kB 16
Anchura del ómnibus de datos :
pedazo 8
Resolución del ADC :
pedazo 10
Frecuencia de reloj máxima :
16 megaciclos
Número de I/Os :
Entrada-salida 54
Datos RAM Size :
1 kB
Voltaje de fuente - minuto :
1,8 V
Voltaje de fuente - máximo :
5,5 V
Temperatura de funcionamiento mínima :
- 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo :
+ 85 C
empaquetado :
MouseReel
marca :
Micrón
Datos RAM Type :
SRAM
Datos ROM Size :
512 B
Descripción
Componentes electrónicos de los chips CI MT40A1G16KD-062E del circuito integrado del micrón MT40A1G16KD-062E
MT40A1G16KD-062E
2Gb confidencial y propietario del micrón: x8, x16 NAND Flash Memory Features N Y memoria Flash MT40A1G16KD-062E, MT29
F2G08ABAEAWP, MT29F2G08ABBEAH4 MT29F2G0 8ABBEAHC, MT29F2G16ABAEAWP, características de MT29F2G16AB BEAH4 MT29F2G16ABBEAHC
Fabricante:
Tecnología del micrón
Categoría de producto:
NAND Flash
RoHS:
Detalles
Montaje de estilo:
SMD/SMT
Paquete/caso:
VFBGA-63
Serie:
MT29F
Tamaño de la memoria:
2 Gbit
Tipo de interfaz:
Paralelo
Organización:
256 M x 8
Tipo que mide el tiempo:
Asincrónico
Anchura del ómnibus de datos:
pedazo 8
Voltaje de fuente - minuto:
2,7 V
Voltaje de fuente - máximo:
3,6 V
Corriente de la fuente - máxima:
35 mA
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 85 C
Empaquetado:
Carrete
Empaquetado:
Corte la cinta
Empaquetado:
MouseReel
Marca:
Micrón
Tipo de la memoria:
NAND
Humedad sensible:
Sí
Producto:
NAND Flash
Tipo de producto:
NAND Flash
Estándar:
No apoyado
Cantidad del paquete de la fábrica:
1000
Subcategoría:
Almacenamiento de la memoria y de datos
Tipo:
Ningún bloque de bota
Peso de unidad:
0,015028 onzas

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FAQ

Q1: ¿Sobre la cita de IC BOM?
A1: La compañía tiene los canales de adquisición de fabricantes originales del circuito integrado en el país y en el extranjero y de un equipo profesional del análisis de la solución del producto para seleccionar los componentes electrónicos de alta calidad, baratos para los clientes.
Q2: ¿Cita para las soluciones del PWB y de PCBA?
A2: El equipo profesional de la compañía analizará la gama del uso de las soluciones del PWB y de PCBA proporcionadas por el cliente y los requisitos del parámetro de cada componente electrónico, y provee en última instancia de clientes las soluciones de alta calidad y baratas de la cita.
Q3: ¿Sobre diseño de chips al producto final?
A3: Tenemos un conjunto completo de diseño de la oblea, de producción de la oblea, de prueba de la oblea, de empaquetado y de integración de IC, y los servicios de la inspección del producto de IC.
Q4: ¿Hace nuestra compañía tienen un requisito de la cantidad de orden mínima (MOQ)?
A4: No, no tenemos requisito de MOQ, nosotros podemos apoyar sus proyectos a partir de prototipos a las producciones en masa.
Q5: ¿Cómo asegurarse de que información al cliente no se escapa?
A5: Estamos dispuestos a firmar efecto de NDA por ley local del lado del cliente y el promesa de mantener datos de los clientes alto nivel confidencial.
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Number modelo :
MT40A1G16KD-062E
Lugar del origen :
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MOQ :
1
Condiciones de pago :
D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000PCS POR SEMANA
Detalles de empaquetado :
STANDRAD
Proveedor de contacto
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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2015
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Productos principales :
Astec Power Supply, Componentes electrónicos ICs, ST ICS
Total anual :
1000000-80000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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