MOSFET NUEVO Y ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF del canal N IRLML6401
Productos Descripción:
MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (ENCENDIDO) 0.05Ohm; Identificación -4.3A; Micro3; Paladio 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin T/R micro del transporte
Transistor: P-MOSFET; unipolar; nivel de la lógica; -12V; -4.3A; 1.3W
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas advancedprocessing para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el devicedesign construido sólidamente que los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido para, provee del thedesigner un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en la gestión del andload de la batería. Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín se ha incorporado en el paquete del thestandard SOT-23 para producir un MOSFET del poder de HEXFET con la huella más pequeña de los theindustry. Este paquete, doblado el Micro3™, es forapplications ideales donde está el espacio impreso de la placa de circuito en un premio. El perfil bajo (<1>
Parámetros tecnológicos:
Voltaje del umbral |
550 milivoltio |
capacitancia de la entrada |
830 PF |
Poder clasificado |
1,3 W |
polaridad |
P-canal |
Método de la instalación |
Soporte superficial |
número pin |
3 |
paquete |
SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento |
-55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Empaquetado |
Cinta y carrete (TR) |
Usos de fabricación |
Interruptores de DC |