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El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
Especificaciones
Número de modelo :
FF50R12RT4
Lugar del origen :
China
MOQ :
1 set
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
1000sets
Plazo de expedición :
25 días después de firmar el contrato
Detalles de empaquetado :
Empaque de caja de madera
VCES :
1200V
Nom de IC :
50A
ICRM :
100A
Aplicaciones :
Impulsiones del motor
Características eléctricas :
Pérdidas bajas de la transferencia
Descripción

Infineon FF50R12RT4 34 milímetros bien conocidos 1200V se dobla los módulos de IGBT con el foso/el fieldstop IGBT4 y el emisor rápidos controlado


Usos típicos

• Convertidores de poder más elevado

• Impulsiones del motor

• Sistemas de UPS

Características eléctricas

• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.

• Pérdidas bajas de la transferencia

• VCEsat bajo

• Tvj de Op. Sys. = 150°C

• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Características mecánicas

• Embase aislado

• Vivienda estándar

IGBT, inversor

Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corriente de colector continua de DC TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C Nom de IC 50 A
Corriente de colector máxima repetidor tP = 1 ms ICRM 100 A
Disipación de poder total TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C Ptot 285 W
voltaje máximo del Puerta-emisor VGES +/--20 V

Valores característicos

voltaje de saturación del Colector-emisor IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C		 VCE sentado 1,85
2,15
2,25		 2,15 V
VV
Voltaje del umbral de la puerta IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Carga de la puerta VGE = -15 V… +15 V QG 0,38 µC
Resistor interno de la puerta Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω
Capacitancia de la entrada f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 N-F
Capacitancia reversa de la transferencia f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 N-F
corriente del atajo del Colector-emisor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C HIELA 1,0 mA
corriente de la salida del Puerta-emisor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C		 TD encendido 0,13 0,15
0,15		 µs
µs
µs
Tiempo de subida, carga inductiva IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C		 tr 0,02 0,03
0.035		 µs
µs
µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C		 TD apagado 0,30 0,38
0,40		 µs
µs
µs
Tiempo de caída, carga inductiva IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C		 tf 0.045 0,08
0,09		 µs
µs
µs
Pérdida de energía de abertura por pulso IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C		 Eón 4,50
6,50
7,50		 19,0
30,0
36,0
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C		 Eoff 2,50
4,00
4,50		 mJ
mJ
mJ
Datos del SC ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C		 ISC 180 mJ
mJ
mJ
Resistencia termal, empalme al caso IGBT/por IGBT RthJC 0,53 K/W
Resistencia termal, disipador de calor del caseto CADA IGBT/por IGBT
λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K)		 RthCH 0.082 K/W
Temperatura bajo condiciones de la transferencia Tvj de Op. Sys. -40 150 °C

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Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Verified Supplier
14 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2000
Tipo de empresa :
Exporter, Trading Company, Seller
Productos principales :
Actuador de válvula eléctrica, Válvula de la central eléctrica, Relé de Control electrónico
Total anual :
3 Million-4 Million
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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