Especificaciones
Product Category : :
MOSFET
Vgs (Max) : :
±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : :
160A (Tc)
FET Type : :
N-Channel
Mounting Type : :
Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : :
117nC @ 10V
Manufacturer : :
Infineon Technologies
Minimum Quantity : :
1000
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : :
6V, 10V
Operating Temperature : :
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature : :
-
Series : :
OptiMOS™
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : :
8110pF @ 40V
Supplier Device Package : :
PG-TO263-7
Part Status : :
Active
Packaging : :
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : :
3 mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max) : :
214W (Tc)
Package / Case : :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Technology : :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id : :
3.5V @ 155µA
Drain to Source Voltage (Vdss) : :
80V
Description :
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Descripción
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IPB030N08N3GATMA1

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Product Category : :
MOSFET
Vgs (Max) : :
±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : :
160A (Tc)
FET Type : :
N-Channel
Mounting Type : :
Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : :
117nC @ 10V
Proveedor de contacto
IPB030N08N3GATMA1

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
3 Años
Desde 2009
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Número de empleados :
600~800
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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