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Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
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Especificaciones
Número de modelo :
H5ANAG6NCJR-XNC
Lugar de origen :
CN
Cantidad mínima de pedido :
1
Payment Terms :
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Capacidad de suministro :
10000
Tiempo de entrega :
5-8day
Detalles del Embalaje :
T/R
Catálogo de producto :
Memoria > Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio
Embalaje universal :
FBGA-96
Protección de la salud :
El cumplimiento
Método de instalación :
Instalación de montaje en superficie
Calificación de la solicitud :
Grado industrial
Capacidad de almacenamiento :
16 GB
Corriente máxima de la fuente :
-
Voltagem máxima de suministro de energía de trabajo :
-
Descripción
Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 16 GB DDR4 SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Especificaciones del producto
Atributo Valor
Catálogo de productos Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico
Embalaje universal Se trata de la FBGA-96.
RoHS El cumplimiento
Método de instalación Instalación de montaje en superficie
Grado de aplicación Grado industrial
Capacidad de almacenamiento 16 GB
Características clave
VDD = VDDQ = 1,2 V +/- 0,06 V
Entradas de reloj totalmente diferenciales (CK, CK)
Los datos de las pruebas de ensayo de la prueba de la prueba de ensayo de la prueba de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo
En el chip DLL alinear DQ, DQS y transición DQS
Las máscaras DM escriben datos tanto en los bordes ascendentes como descendentes del estroboscopo de datos
Se admite la latencia CAS programable 9-20
Se admite la latencia aditiva programable 0, CL-1 y CL-2 (sólo x4/x8)
La latencia de escritura del CAS programable (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
Largura de ráfaga programable 4/8 con modo secuencial de mordisco e interleave
Arquitectura de los bancos
La norma JEDEC 78ball FBGA ((x4/x8)
Dinámico en la terminación de la matriz soportado
Compatible con la Directiva RoHS
Imágenes del producto
Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Información sobre el embalaje

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con sus necesidades.

Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, ofrecemos cotizaciones dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de las consultas (excluyendo fines de semana y días festivos).

¿Cuál es su plazo de entrega?

Los plazos de entrega varían según la cantidad del pedido y la temporada. Los lotes pequeños generalmente se envían dentro de los 7-15 días, mientras que los pedidos más grandes pueden requerir aproximadamente 30 días.

¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica con depósito del 30% y pago del saldo del 70% vía T/T antes del envío.

¿Cuáles son sus opciones de envío?

Ofrecemos envío por mar, aire o expreso (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Por favor, confirme el método de envío preferido antes de hacer el pedido.

¿Cómo mantiene relaciones comerciales a largo plazo?

Priorizamos la calidad y los precios competitivos para garantizar la satisfacción del cliente. Valoramos cada relación con el cliente y conducimos negocios con integridad y profesionalismo.

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Detalle del producto
Número de modelo :
H5ANAG6NCJR-XNC
Lugar de origen :
CN
Cantidad mínima de pedido :
1
Payment Terms :
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Capacidad de suministro :
10000
Tiempo de entrega :
5-8day
Proveedor de contacto
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Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2022
Productos principales :
Array de puertas programables de campo FPGA, Unidad del microcontrolador de MCU, Sistema SOC en el chip
Total anual :
1000000-3000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Active Member
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