Terminaciones de chip resistor RF de 50 ohmios de alta potencia con brida RIG 800W, montaje en brida
Especificaciones Técnicas
| Atributo |
Valor |
| Resistencia Estándar |
50Ω |
| Material del Sustrato |
AlN |
| Tolerancia de Resistencia |
±5 % |
| Potencia Nominal |
800W |
| Frecuencia |
CC–1GHz |
| VSWR |
≤ 1.25 :1 |
| Temperatura de Funcionamiento |
-55 a +150℃ |
| Coeficiente de Temperatura |
±150ppm/℃ |
Características del Producto
- Solución de terminación RF de 50Ω de alta potencia
- Diseño de montaje en brida para una instalación segura
- Sustrato de nitruro de aluminio (AlN) para un rendimiento térmico superior
- Amplio rango de frecuencia de CC a 1 GHz
- Excelentes características de VSWR (≤1.25:1)
- Amplio rango de temperatura de funcionamiento (-55°C a +150°C)
- Construcción conforme a RoHS
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